文献

J-GLOBAL ID：201902211130260403   整理番号：19A0172685

正方平面配位における高スピンNi2+によるA_2NiO_2Ag_2Se_2(A=Sr,Ba)の高圧合成【JST・京大機械翻訳】

High-Pressure Synthesis of A₂NiO₂Ag₂Se₂ (A=Sr, Ba) with a High-Spin Ni²⁺ in Square-Planar Coordination

著者 (17件)： Matsumoto Yuki (Graduate School of Engineering, Kyoto University, Kyoto, 615-8510, Japan) ,  Yamamoto Takafumi (Graduate School of Engineering, Kyoto University, Kyoto, 615-8510, Japan) ,  Nakano Kousuke (School of Information Science, JAIST, Asahidai 1-1, Nomi, Ishikawa, 923-1292, Japan) ,  Takatsu Hiroshi (Graduate School of Engineering, Kyoto University, Kyoto, 615-8510, Japan) ,  Murakami Taito (Graduate School of Engineering, Kyoto University, Kyoto, 615-8510, Japan) ,  Hongo Kenta (School of Information Science, JAIST, Asahidai 1-1, Nomi, Ishikawa, 923-1292, Japan) ,  Hongo Kenta (Research Center for Advanced Computing Infrastructure, JAIST, Asahidai 1-1, Nomi, Ishikawa, 923-1292, Japan) ,  Hongo Kenta (National Institute for Materials Science, Tsukuba, 305-0047, Japan) ,  Hongo Kenta (PRESTO, Japan) ,  Hongo Kenta (Computational Engineering Applications Unit. RIKEN, 2-1 Hirosawa, Wako., Saitama, 351-0198, Japan) ,  Maezono Ryo (School of Information Science, JAIST, Asahidai 1-1, Nomi, Ishikawa, 923-1292, Japan) ,  Maezono Ryo (Computational Engineering Applications Unit. RIKEN, 2-1 Hirosawa, Wako., Saitama, 351-0198, Japan) ,  Ogino Hiraku (Electronics and Photonics Research Institute, AIST, Ibaraki, 305-8568, Japan) ,  Song Dongjoon (Electronics and Photonics Research Institute, AIST, Ibaraki, 305-8568, Japan) ,  Brown Craig M. (Center for Neutron Research, NIST, Gaithersburg, MD 20899-6102, USA) ,  Tassel Cedric (Graduate School of Engineering, Kyoto University, Kyoto, 615-8510, Japan) ,  Kageyama Hiroshi (Graduate School of Engineering, Kyoto University, Kyoto, 615-8510, Japan)
資料名： Angewandte Chemie  (Angewandte Chemie)
巻： 131  号： 3  ページ： 766-769  発行年： 2019年 
JST資料番号： A0396A  ISSN： 0044-8249  CODEN： ANCEAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化物中の正方平面配位Ni2+イオンは,広い結晶場分裂のために,排他的に低スピン状態(S=0)に制限される。S=1NiO_2正方格子を有する層状オキシカルコゲニドA_2NiIIO_2Ag_2Se_2(A=Sr,Ba)を報告した。構造解析により,Ni2+イオンは隣接Ag_2Se_2層からの顕著な引張歪により結合し,結晶場分裂の減少をもたらすことを明らかにした。Ba_2NiO_2Ag_2Se_2は130KでG型スピン秩序を示し,かなり強い面内相互作用を示した。ここで用いた高圧合成は,酸化物とセレン化物層における圧縮率の差の利点を考慮することにより,NiO_2正方格子の膨張を支援する可能性がある。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸化物 ,  相互作用 ,  セレン化物 ,  *正方格子 ,  スピン整列 ,  圧縮率 ,  構造解析
準シソーラス用語： 引張歪 ,  二層 ,  低スピン状態 ,  結晶場分裂 ,  *高圧合成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Dehnung ,  Hochdrucksynthesen ,  オキシカルコン ,  Quadratices Gitter ,  Spinzustaende

分類 (2件)： 鉄族元素の錯体の結晶構造  (BK09040I) ,  コバルトとニッケルの錯体  (CE01092Y)

タイトルに関連する用語 (2件)： Ba ,  高圧合成