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J-GLOBAL ID：201902211994348819   整理番号：19A0768111

ポリマーゲート絶縁膜を用いた酸化物トランジスタの作製

Oxide Field-Effect Transistor with Polymer-Based Gate Insulator

著者 (1件)： 藤原宏平 (東北大学金属材料研究所)
資料名： 電気学会論文誌 C  (IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
巻： 139  号： 3  ページ： 207-210(J-STAGE)  発行年： 2019年 
JST資料番号： S0810A  ISSN： 0385-4221  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 機能性酸化膜を用いた電界効果トランジスタ(FET)の開発は,現在活発な研究分野である。電気伝導特性を効果的に変調するためには,酸化物チャネル/ゲート絶縁膜界面の形成が重要である。この技術ノートにおいて,ポリ(パラキシリレン)被覆法に基づくゲート絶縁膜作製技術,新しい酸化物材料上のFETのいくつかの例,およびフレキシブル酸化物FETへの潜在的応用について述べた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 重合体 ,  *ゲート絶縁膜 ,  トランジスタ ,  化合物半導体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *酸化膜 ,  導電性
準シソーラス用語： ポリマ ,  酸化物半導体 ,  *電界効果トランジスタ

著者キーワード (10件)： 機能性酸 ,  電界による電界の電界 ,  電界 ,  静電 静電 ,  ケ -ト絶 ,  機能性酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  電界効果 ,  静電キャリア蓄積 ,  ゲート絶縁体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (36件)：

• (1) 鯉沼秀臣 編著:「酸化物エレクトロニクス」, 培風館
• (2) C. H. Ahn, A. Bhattacharya, M. Di Ventra, J. N. Eckstein, C. D. Frisbie, M. E. Gershenson, A. M. Goldman, I. H. Inoue, J. Mannhart, A. J. Millis, A. F. Morpurgo, D. Natelson, and J.-M. Triscone: “Electrostatic modification of novel materials”, Rev. Mod. Phys., Vol. 78, pp. 1185-1212 (2006)
• (3) K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: “Thin-Film Transistor Fabricated in Single-Crystalline Transparent Oxide Semiconductor”, Science, Vol. 300, pp. 1269-1272 (2003)
• (4) 日本パリレン合同会社の登録商標であるが, 広く普及した名称であるので, 本稿ではパリレンを用いる。
• (5) 多結晶あるいは非晶質薄膜に対しては基板材料選択の自由度が高いため, SiO₂/Si基板などを用いてボトムゲート型素子を作製することができる。

タイトルに関連する用語 (5件)： ポリマー ,  ゲート絶縁膜 ,  酸化物 ,  トランジスタ ,  作製