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J-GLOBAL ID：200902268658574854   整理番号：03A0433923

単結晶透明酸化物半導体に形成した薄膜トランジスタ

Thin-Film Transistor Fabricated in Single-Crystalline Transparent Oxide Semiconductor

著者 (6件)： NOMURA K (JST-ERATO, Kawasaki, JPN) ,  OHTA H (JST-ERATO, Kawasaki, JPN) ,  UEDA K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KAMIYA T (JST-ERATO, Kawasaki, JPN) ,  HIRANO M (JST-ERATO, Kawasaki, JPN) ,  HOSONO H (JST-ERATO, Kawasaki, JPN)
資料名： Science  (Science)
巻： 300  号： 5623  ページ： 1269-1272  発行年： 2003年05月23日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶薄膜透明酸化物半導体InGaO₃...

シソーラス用語： 透明材料 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単結晶 ,  酸化物半導体 ,  薄膜トランジスタ