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J-GLOBAL ID：201902212631493098   整理番号：19A1249389

フレキシブルプラスチック基板上の銅誘起結晶化を用いた二重ゲート多結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタ

Double-gate polycrystalline-germanium thin-film transistors using copper-induced crystallization on flexible plastic substrate

著者 (6件)： UTSUMI Hiroki (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN) ,  NISHIGUCHI Naoki (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN) ,  MIYAZAKI Ryo (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN) ,  SUZUKI Hitoshi (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN) ,  KITAHARA Kuninori (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  HARA Akito (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： 4  ページ： 046501.1-046501.7  発行年： 2019年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,平面金属二重ゲート(DG)pチャネル(p-ch)で接合のない多結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタ(TFT)を,銅(Cu)とアルミニウム誘起横方向メタライゼーションによるソース-ドレインを用いた,金属誘起結晶化(MIC)によりスピンコートポリイミド(PI)基板上に作製した。上部と底部ゲートの同時動作下での相互コンダクタンスから計算した最大公称移動度は32cm²V^-1s^-1で,Cu-MICポリGe膜,ソース-ドレインの低寄生抵抗,及び完全空乏化チャネルにより2×10³のオン/オフ比を達成した。さらに,DG Cu-MICポリ-Ge TFTの性能は,PIがガラス基板上に剥離されても,劇的に劣化しなかった。提案したポリGe TFTはプラスチック基板上にp-ch TFTを作製するために使用できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： フレキシブル基板 ,  *基板 ,  *銅 ,  *結晶化 ,  *多結晶 ,  *ゲルマニウム ,  *薄膜トランジスタ ,  ポリイミド ,  相互コンダクタンス ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  電気抵抗 ,  比率
準シソーラス用語： *プラスチック基板 ,  *金属誘起結晶化 ,  二重ゲート ,  チャネル移動度 ,  寄生抵抗 ,  オンオフ比

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (46件)：

• T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo, and M. Miyao, Appl. Phys. Lett. 89, 192114 (2006).
• T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo, and M. Miyao, Jpn. J. Appl. Phys. 46, 1250 (2007).
• J.-H. Park, M. Tada, D. Kuzum, P. Kapur, H.-Y. Yu, H.-S. Philip Wong, and K. C. Saraswat, Tech. Dig. 2008 IEDM, 2008, p. 389.
• Y. Kamata et al., Tech. Dig. 2013 VLSI Technology, 2013, p. T94.
• M. Kurosawa, Y. Kamata, H. Ikenoue, N. Taoka, O. Nakatsuka, T. Tezuka, and S. Zaima, Ext. Abst. 2014 SSDM, 2014, p. 684.

タイトルに関連する用語 (8件)： プラスチック基板 ,  銅 ,  誘起 ,  結晶化 ,  二重ゲート ,  多結晶 ,  ゲルマニウム ,  薄膜トランジスタ