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J-GLOBAL ID：200902247929388841   整理番号：06A0921561

NiGeのSchottky型ソース/ドレインを備えた多結晶-Geを基本とする薄膜トランジスタの低温(<500°C)形成

Low-temperature formation (<500 °C) of poly-Ge thin-film transistor with NiGe Schottky source/drain

著者 (4件)： SADOH T. (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  KAMIZURU H. (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  KENJO A. (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  MIYAO M. (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 89  号： 19  ページ： 192114-192114-3  発行年： 2006年11月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Schottky型ソース/ドレイン(S/D)コンタクトを持つ...

シソーラス用語： ニッケル合金 ,...

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分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ソース ,  ドレイン ,  多結晶 ,  Ge ,  薄膜トランジスタ ,  低温