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J-GLOBAL ID:200902247929388841   整理番号:06A0921561

NiGeのSchottky型ソース/ドレインを備えた多結晶-Geを基本とする薄膜トランジスタの低温(<500°C)形成

Low-temperature formation (<500 °C) of poly-Ge thin-film transistor with NiGe Schottky source/drain
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資料名:
巻: 89  号: 19  ページ: 192114-192114-3  発行年: 2006年11月06日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Schottky型ソース/ドレイン(S/D)コンタクトを持つ...
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分類 (2件):
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半導体-金属接触  ,  トランジスタ 

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