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J-GLOBAL ID：201902212877188374   整理番号：19A1375549

スパッタリング法により配向制御したHfO₂基強誘電体厚膜の作製およびその電気特性評価

著者 (4件)： 志村礼司郎 (東京工大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.11a-W351-1  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】酸化ハフニウム(HfO2)は2011年に20 nm以下の薄膜で強誘電性が発見され[1]、多くの研究が行われている。強誘電性HfO2は圧電性ももつことが期待され、CMOSプロセスとの高い親和性を考えると、圧電MEMSの可能性も検討に値...【本文一部表示】

シソーラス用語： スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *制御 ,  *酸化ハフニウム ,  *強誘電体 ,  *厚膜 ,  *電気特性 ,  X線回折 ,  ヒステリシス
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタリング ,  *配向制御 ,  *二酸化ハフニウム ,  分極ヒステリシス

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (8件)： スパッタリング法 ,  配向制御 ,  HfO2 ,  強誘電体 ,  厚膜 ,  作製 ,  電気特性 ,  評価