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J-GLOBAL ID：201902215562007590   整理番号：19A0033308

原子層堆積法による二酸化ケイ素上に成長した二酸化ハフニウムと水素の相互作用【JST・京大機械翻訳】

Interaction of hydrogen with hafnium dioxide grown on silicon dioxide by the atomic layer deposition technique

著者 (5件)： Kolkovsky Vladimir (Fraunhofer IPMS, Dresden Maria-Reiche Str. 2, 01109 Dresden, Germany) ,  Scholz Sebastian (Fraunhofer IPMS, Dresden Maria-Reiche Str. 2, 01109 Dresden, Germany) ,  Kolkovsky Valery (Technische Universitaet Dresden, Institut fuer Angewandte Physik, 01062 Dresden, Germany) ,  Schmidt Jan-Uwe (Fraunhofer IPMS, Dresden Maria-Reiche Str. 2, 01109 Dresden, Germany) ,  Heller Rene (Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, P.O. Box 510119, 01109 Dresden, Germany)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 36  号： 6  ページ： 062901-062901-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積法により成長させた薄いhafニア膜の電気的および構造的性質を,dc Hプラズマ処理後と同様に,異なるアニーリングステップの前後で調べた。核反応分析を用いて,高濃度の水素(約1~2at.%)が成長したhafニア層でも観察できることを示した。原子Hによる試料の付加的水素化はフラットバンド電圧の顕著なシフトをもたらした。このシフトは,室温で安定であることが分かった正に帯電したH関連欠陥の導入によって説明できた。実験結果を理論及びミュー粒子スピン分光法からのデータと比較することにより,これらの欠陥がHfO_2中の格子間Hに暫定的に起因することを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *水素 ,  核反応分析 ,  プラズマ処理 ,  μ粒子 ,  構造特性 ,  焼なまし ,  *酸化ハフニウム ,  *相互作用 ,  *二酸化ケイ素 ,  水素化
準シソーラス用語： フラットバンド電圧 ,  高濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子層堆積法 ,  二酸化ケイ素 ,  成長 ,  二酸化ハフニウム ,  水素 ,  相互作用