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J-GLOBAL ID：201902216422520262   整理番号：19A2619159

埋め込みSiO₂光閉じ込め構造とn型導電性AlInN/GaN DBRを有するGaN系VCSEL

著者 (9件)： 飯田涼介 (名城大 大学院理工学研究科) ,  村永亘 (名城大 大学院理工学研究科) ,  上島佑介 (名城大 大学院理工学研究科) ,  岩山章 (名城大 大学院理工学研究科) ,  竹内哲也 (名城大 大学院理工学研究科) ,  上山智 (名城大 大学院理工学研究科) ,  岩谷素顕 (名城大 大学院理工学研究科) ,  赤崎勇 (名城大 大学院理工学研究科) ,  赤崎勇 (名古屋大 赤崎記念研究セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.20a-E302-4  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： [はじめに]既に実用化されている赤外領域のGaAs系VCSELでは選択酸化法により電流狭窄をすると同時に非酸化部分と酸化部分の屈折率差により横方向の光閉じ込めを実現している。さらに,少なくとも下部n型導電性DBRによる縦型電流注入構造である...【本文一部表示】

シソーラス用語： *DBRレーザ ,  *窒化ガリウム ,  N型半導体 ,  *垂直共振器形面発光レーザ ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  二酸化ケイ素 ,  窒化物 ,  導電性 ,  量子閉込め ,  酸化 ,  活性層 ,  光閉込め ,  選択酸化
準シソーラス用語： 選択酸化反応

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 埋め込み ,  SiO2 ,  光閉じ込め ,  導電性 ,  GaN ,  DBR ,  VCSEL