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J-GLOBAL ID：201902217523116981   整理番号：19A0307570

0.63Mωcm2/1170V4H-SiC超接合V溝トレンチMOSFET【JST・京大機械翻訳】

$0.63¥ ¥mathrm{m}¥Omega ¥text{cm}^{2}$ / 1170 V 4H-SiC Super Junction V-Groove Trench MOSFET

著者 (5件)： Masuda T. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ibaraki, Japan) ,  Saito Y. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ibaraki, Japan) ,  Kumazawa T. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ibaraki, Japan) ,  Hatayama T. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ibaraki, Japan) ,  Harada S. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ibaraki, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IEDM  ページ： 8.1.1-8.1.4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC超接合,0.63mΩcm2および1170V,V溝トレンチMOSFET(SJ-VMOSFET)を実証した。SJ-VMOSFETの比オン抵抗(R_on,sp)は,600V以上のブロッキング電圧(B_v)を有するすべての報告されたSiC-MOSFETの中で最低である。V溝MOSチャネルと超接合面積での電荷バランスの構造的組合せにより,優れた電気的性質を実現した。SJ-VMOSFETのR_on,sp解析を,Kelvin源ターミナルを有するTO-2685ピンパッケージに搭載した後に実施した。V溝0338チャネルは,1×10~18cm-3以上のドーピング濃度の増加でも,高い反転移動度を保つことができた。SJ-VMOSFETの優れた静的および動的性能は,超低損失スイッチング応用を実現することを可能にした。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ブロッキング ,  *炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  スイッチング ,  オン抵抗 ,  移動度 ,  電荷 ,  電気的性質 ,  ドーピング ,  電圧 ,  チャネル
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  *トレンチ ,  *V溝 ,  *超接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 超接合 ,  V溝 ,  トレンチ ,  MOSFET