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J-GLOBAL ID：201902217667194278   整理番号：19A0890913

3C-炭化ケイ素中のホウ素およびアルミニウム欠陥に対する第一原理X線光電子分光法結合エネルギーシフト計算

First-principles X-ray photoelectron spectroscopy binding energy shift calculation for boron and aluminum defects in 3C-silicon carbide

著者 (2件)： MATSUSHIMA Naoki (Keio Univ., Yokohama, JPN) ,  YAMAUCHI Jun (Keio Univ., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： 3  ページ： 031001.1-031001.10  発行年： 2019年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算により3C-炭化ケイ素(SiC)中のホウ素とアルミニウムを含む欠陥に対する,B1sとAl2pのコア準位X線光電子分光(XPS)結合エネルギーシフトと形成エネルギーを系統的に調べた。XPS結合エネルギーシフトと欠陥状態の間の関係を解析し,バンドギャップ内または価電子帯に局在電子をもつ欠陥は,局在電子を持たない欠陥よりも大きいXPS緩和エネルギー(XPSRE)を持つことを見出した。対照的に,分離した電子及びコアホールから離れて局在化した電子はXPSREにほとんど影響しなかった。さらに,Siおよび3C-SiCのXPSスペクトルを比較することにより,XPSスペクトルに対する元素および化合物半導体である結晶マトリックスへの依存性を解析した。3C-SiCの局所ポテンシャルの変化はSiのそれよりも大きいが,緩和エネルギーの変化は同程度であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *ホウ素 ,  *アルミニウム ,  *格子欠陥 ,  *第一原理 ,  X線光電子分光法 ,  *結合エネルギー ,  エネルギー ,  変化 ,  内殻準位 ,  バンドギャップ ,  価電子バンド ,  局在準位 ,  緩和現象 ,  *第一原理計算 ,  *3C-炭化ケイ素
準シソーラス用語： *3C-SiC ,  エネルギーシフト ,  コア準位 ,  形成エネルギー ,  価電子帯

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

引用文献 (33件)：

• T. Ohshima, K. K. Lee, Y. I. K. Kojima, Y. Tanaka, T. Takahashi, M. Yoshikawa, H. Okumura, K. Arai, and T. Kamiya, Jpn. J. Appl. Phys. 42, L625 (2004).
• H. Yano, H. Nakano, H. Mikai, T. Hatayama, Y. Ueda, and T. Fuyuki, Appl. Phys. Lett. 90, 042102 (2007).
• A. Schöner, M. Krieger, G. Pensl, M. Abe, and H. Nagasawa, Chem. Vap. Deposition 12, 523 (2006).
• A. Itoh, T. Kimoto, and H. Matsunami, IEEE Electron Device Lett. 17, 139 (1996).
• H. Bracht, N. A. Stolwijk, M. Laube, and G. Pensl, Appl. Phys. Lett. 77, 3188 (2000).

タイトルに関連する用語 (8件)： 3C-炭化ケイ素 ,  ホウ素 ,  アルミニウム ,  欠陥 ,  第一原理 ,  X線光電子分光法 ,  エネルギーシフト ,  計算