文献

J-GLOBAL ID：201902218960179345   整理番号：19A0491142

機械的に剥離した懸濁および基板上の数層グラフェンの性質に及ぼす熱アニーリングの影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Thermal Annealing on the Properties of Mechanically Exfoliated Suspended and On-Substrate Few-Layer Graphene

著者 (6件)： Alyobi Mona M. M. (College of Engineering, Swansea University, Bay Campus, Swansea SA1 8EN, UK) ,  Alyobi Mona M. M. (College of Science, Taibah University, Medina 42353, Saudi Arabia) ,  Alyobi Mona M. M. (Centre for Nanohealth, Swansea University, Singleton Campus, Swansea SA2 8PQ, UK) ,  Barnett Chris J. (College of Engineering, Swansea University, Bay Campus, Swansea SA1 8EN, UK) ,  Cobley Richard J. (College of Engineering, Swansea University, Bay Campus, Swansea SA1 8EN, UK) ,  Cobley Richard J. (Centre for Nanohealth, Swansea University, Singleton Campus, Swansea SA2 8PQ, UK)
資料名： Crystals (Web)  (Crystals (Web))
巻： 7  号： 11  ページ： 349  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7169A  ISSN： 2073-4352  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの新しい電気的,光学的,機械的性質は,基板相互作用と接触とデバイスの作製に必要な処理ステップの両方に影響される。アニーリングはグラフェン素子を清浄化するのに用いられるが,これはドーピングと欠陥の変化と歪効果をもたらす。これらの効果についてはしばしば不一致があり,Ramanスペクトルにおいて観測された変化をもたらす。走査型電子顕微鏡(SEM),Raman分光法および原子間力顕微鏡(AFM)を用いて,SiO2/Si上の機械的に剥離された未処理,懸濁および付着した薄いおよび厚い数層グラフェンに及ぼす真空アニーリングの影響を調べた。ここでは,走査電子顕微鏡(SEM),Raman分光法および原子間力顕微鏡(AFM)を用いた。アニーリング前に,Ramanは,2DおよびGバンド位置の差およびすべての領域の無秩序誘起Dバンドの出現が,主に電荷ドーピングの代わりに機械的剥離を通して出現する圧縮または引張構造変形のためであることを示した。低温でのアニーリングは欠陥の大部分を除去するのに十分である。しかし,圧縮歪は高温でのアニーリングによりシート中に誘起され,薄い領域では基板の立体配座がシートの見かけの消失をもたらす。2DとGバンドの強度比も誘起圧縮歪により減少し,従ってドーピングを検出するためには使用しなければならない。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ケイ素 ,  *焼なまし ,  低温 ,  ドーピング ,  相互作用 ,  *基板 ,  Raman分光法 ,  *懸濁液 ,  高温 ,  二次元 ,  電荷 ,  原子間力顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 圧縮歪 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： グラフェン ,  アニーリング ,  Raman ,  ドーピング ,  歪

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (44件)：

• Novoselov, K.S.; Geim, A.K.; Morozov, S.; Jiang, D.; Zhang, Y.; Dubonos, S.; Grigorieva, I.V.; Firsov, A.A. Electric field effect in atomically thin carbon films. Science 2004, 306, 666-669.
• Geim, A.K.; Novoselov, K.S. The rise of graphene. Nat. Mater. 2007, 6, 183-191.
• Cooper, D.R.; D’Anjou, B.; Ghattamaneni, N.; Harack, B.; Hilke, M.; Horth, A.; Majlis, N.; Massicotte, M.; Vandsburger, L.; Whiteway, E.; et al. Experimental review of graphene. ISRN Condens. Matter Phys. 2012, 2012.
• Kim, S.; Ryu, S. Thickness-dependent native strain in graphene membranes visualized by Raman spectroscopy. Carbon 2016, 100, 283-290.
• Geringer, V.; Liebmann, M.; Echtermeyer, T.; Runte, S.; Schmidt, M.; Rückamp, R.; Lemme, M.; Morgenstern, M. Intrinsic and extrinsic corrugation of monolayer graphene deposited on SiO2. Phys. Rev. Lett. 2009, 102, 76102.

タイトルに関連する用語 (4件)： 懸濁 ,  数層グラフェン ,  性質 ,  熱アニーリング