文献

J-GLOBAL ID：201902219025959520   整理番号：19A1975829

スパッタリング法により作製した熱電非ドープMg_2Si薄膜におけるp型およびn型伝導の制御【JST・京大機械翻訳】

Control of p- and n-type Conduction in Thermoelectric Non-doped Mg₂Si Thin Films Prepared by Sputtering Method

著者 (11件)： Kurokawa Mao (Department of Innovation and Engineered Materials, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Shimizu Takao (School of Materials and Chemical Technology, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Uehara Mutsuo (Department of Innovation and Engineered Materials, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Katagiri Atsuo (Department of Innovation and Engineered Materials, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Akiyama Kensuke (School of Materials and Chemical Technology, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Akiyama Kensuke (Kanagawa Institute of Industrial Science and Technology, Ebina, Kanagawa 243-0435, Japan) ,  Matsushima Masaaki (Department of Innovation and Engineered Materials, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Uchida Hiroshi (Department of Materials and Life Sciences, Sophia University, Chiyoda, Tokyo 102-8554, Japan) ,  Kimura Yoshisato (School of Materials and Chemical Technology, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Funakubo Hiroshi (Department of Innovation and Engineered Materials, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Funakubo Hiroshi (School of Materials and Chemical Technology, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8502, Japan)
資料名： MRS Advances  (MRS Advances)
巻： 3  号： 24  ページ： 1355-1359  発行年： 2018年 
JST資料番号： W5489A  ISSN： 2059-8521  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドーピングなしでMg_2Si膜の伝導型を制御する方法を調べた。Mg_2Si膜は大気He中で500°Cまでの熱処理後にp型伝導を示した。しかし,500°Cでのその後の熱処理中にMgリボンで膜を被覆すると,伝導をn型に変換し,熱処理雰囲気が伝導型を制御できることを実証した。報告された第一原理計算に基づいて,Mg_2Si中の格子間MgとMg空格子点がそれぞれn型とp型伝導の起源であることを示唆し,He中のポスト熱処理は膜からMgの蒸発によりMg空孔を誘起し,p型伝導をもたらす。膜がMgリボンで覆われたときの熱処理はMg空孔を満たし,付加的な格子間Mgが組み込まれ,n型伝導をもたらす。これらの観察は,非ドープMg_2Si焼結体における安定n型伝導の熱処理に関する報告データとは異なり,Mg_2Si膜における伝導型に対する新しい制御法を実現する可能性がある。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *スパッタリング ,  制御方式 ,  計算 ,  ヘリウム ,  *マグネシウム ,  熱処理 ,  *スパッタ蒸着 ,  *ドーピング ,  *薄膜 ,  焼結体
準シソーラス用語： 第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 熱電 ,  スパッタリング ,  薄膜

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (4件)： スパッタリング法 ,  作製 ,  ドープ ,  N型伝導