縮退半導体に対する一般化Einstein関係を組み込んだ熱エネルギー拡散【JST・京大機械翻訳】

Jyegal Jang

文献

J-GLOBAL ID：201902219499781487 整理番号：19A0489313

縮退半導体に対する一般化Einstein関係を組み込んだ熱エネルギー拡散【JST・京大機械翻訳】

Thermal Energy Diffusion Incorporating Generalized Einstein Relation for Degenerate Semiconductors

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資料名：
巻： 7 号： 8 ページ： 773 発行年： 2017年
JST資料番号： U7135A ISSN： 2076-3417 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

等方性非放物線エネルギーバンドを持つ縮退半導体に対する現在使用されている一般化Einstein関係は,物理的に不適切な結果を生み出し,室温での非放物線性パラメータの大きな値に対する数値精度を失う。したがって,半導体中のキャリアの非理想気体に対する古典的速度論の一般化のためのキャリアガスの有効温度の新しい概念を導入することにより,ドリフト拡散近似に基づく半古典的運動量平衡方程式から新しい一般化Einstein関係(巨視的方程式と式)を導いた。提案した式は,キャリア熱エネルギー拡散効果を完全に考慮し,それは,縮退半導体におけるキャリアの移動度に対する拡散係数の比に及ぼすバンド非放物線性の影響を正確に反映することができる。この式で評価した結果から,新しい非常に重要な非放物線効果を観測した。新しい一般化Einstein関係は,完全線形領域の印加電場に対して有効であることを示した。さらに,移動度に対する拡散係数の比とFermiエネルギーを与えられた半導体材料に対する電子濃度またはドーピング密度から容易に決定できる有用な図形も示した。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体結晶の電子構造

引用文献 (25件)：

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