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J-GLOBAL ID:201902220025921021   整理番号:19A1887214

パイロクロア構造,Sn_2Nb_2O_7による三元酸化スズの局在価電子バンド極大の消失【JST・京大機械翻訳】

Disappearance of Localized Valence Band Maximum of Ternary Tin Oxide with Pyrochlore Structure, Sn2Nb2O7
著者 (12件):
資料名:
巻: 121  号: 17  ページ: 9480-9488  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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価電子帯におけるSn5s軌道の寄与を持つパイロクロア構造を持つ三元酸化スズの電子構造をシンクロトロン放射励起光電子分光法とX線吸収分光法によりab initio計算と共に調べた。経験的スペクトルは,価電子帯最大(VBM)周辺の電子構造における著しい矛盾を除いて,計算した状態密度と定性的に一致した。バンド計算は,主にSn原子に近いSn5s軌道とO2p軌道の混成に由来する無分散バンドにより,VBM周辺の鋭いピークの存在を示唆した。しかし,光電子スペクトルはそのような特徴的なスペクトル特徴を示さない。局在化VBMの軌道起源と化学分析による元素組成の実験的推定から,VBM周辺の電子構造の不一致はSn2+,Sn2+空格子点に近い酸素空格子点及びSn4+-on-Nb5+置換欠陥のような点欠陥による化学量論効果に起因すると結論した。このような局在化VBMを有する酸化物は,実用的なp型酸化物半導体に適していないと考えられている。したがって,理論的に予測された局在化VBMの消失は,正孔キャリアの移動度を改善する可能性を示唆し,p型酸化物半導体Sn_2Nb_2O_7の開発における著者らの成功に密接に関連していると考えられる。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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塩基,金属酸化物 
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