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J-GLOBAL ID：201902220381071508   整理番号：19A1413699

ダイヤモンド上のSiO_2層を遮蔽することによるN+イオン注入により生成した窒素空孔中心【JST・京大機械翻訳】

Nitrogen-vacancy centers created by N⁺ ion implantation through screening SiO₂ layers on diamond

著者 (7件)： Ito Kazuki (School of Fundamental Science and Technology, Keio University, 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama 223-8522, Japan) ,  Saito Hiroshi (School of Fundamental Science and Technology, Keio University, 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama 223-8522, Japan) ,  Sasaki Kento (School of Fundamental Science and Technology, Keio University, 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama 223-8522, Japan) ,  Watanabe Hideyuki (Correlated Electronics Group, Electronics and Photonics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central 5, 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki 305-8565, Japan) ,  Teraji Tokuyuki (National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Itoh Kohei M. (School of Fundamental Science and Technology, Keio University, 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama 223-8522, Japan) ,  Abe Eisuke (Spintronics Research Center, Keio University, 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama 223-8522, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 21  ページ： 213105-213105-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 深さ分布と線量の両方を制御するためにSiO_2で作られたスクリーニングマスクを用いたイオン注入技術について報告する。遮蔽層の厚さを適切に選択することにより,この方法はイオンチャネリングを完全に抑制し,表面への最高の窒素空格子点(NV)密度の位置をもたらし,3桁以上の線量を効果的に減少させる。10keVのエネルギーと10~11cm2の線量で動作する標準イオン注入システムを用いて,追加のエッチングプロセスなしで,数10μsのコヒーレンス時間で表面に近い単一NV中心を作製した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオン注入 ,  放射線量 ,  *ダイヤモンド ,  イオンチャネリング ,  スクリーニング ,  深さ分布
準シソーラス用語： コヒーレンス時間 ,  窒素空格子点 ,  *NV中心 ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： ダイヤモンド ,  遮蔽 ,  イオン注入 ,  窒素空孔中心