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J-GLOBAL ID：201902221787109119   整理番号：19A1716802

拡張パルスエキシマレーザを用いた4H-SiCにおけるAlのレーザドーピング深さの増加【JST・京大機械翻訳】

Increasing Laser-Doping Depth of Al in 4H-SiC by Using Expanded-Pulse Excimer Laser

著者 (4件)： Ikeda Akihiro (Sojo University, Department of Computer and Information Sciences, Sojo Univ Kumamoto Japan 4-22-1 Ikeda, Nishi-ku) ,  Shimokawa Takahi (Kyushu University, Graduate School of Information Science and Electrical Engineering Fukuoka Japan 744 Motooka, Nishi-ku) ,  Ikenoue Hiroshi (Kyushu University, Graduate School of Information Science and Electrical Engineering Fukuoka Japan 744, Motooka, Nishi-ku) ,  Asano Tanemasa (Kyushu University, Graduate School of Information Science and Electrical Engineering Fukuoka Japan 744 Motooka, Nishi-ku)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 963  ページ： 412-415  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC表面上に堆積したAl膜にパルス幅拡大エキシマレーザを照射することによって行った4H-SiCへのAlドーピングを調べた。光パルス伸長器を構築し,そのピーク強度を元のパルスの半分に低減し,パルス幅を55nsから100nsに拡大したレーザパルスを作製した。膨張パルスの照射は,表面からの材料のアブレーションを低減し,多重ショットの照射を可能にすることが分かった。その結果,Alのドーピング深さは著しく増加した。また,拡張パルスの多重ショットは,レーザ強度の空間的不均一性に対する感度を減少させ,ドープ領域の均一性を増加させる。Copyright 2019 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  *パルス ,  粒状材 ,  アブレーション ,  レーザパルス ,  パルス幅 ,  *アルミニウム ,  光パルス ,  *ドーピング ,  *エキシマレーザ ,  多重化
準シソーラス用語： レーザ強度 ,  ピーク強度 ,  *レーザドーピング ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： エキシマレーザ ,  レーザドーピング ,  アルミニウムドーピング ,  炭化ケイ素 ,  光パルスストレッチャ ,  p型炭化ケイ素

分類 (3件)： 繊維強化金属  (WE04040C) ,  機械的性質  (WB02030U) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 拡張 ,  パルス ,  エキシマレーザ ,  4H-SiC ,  Al ,  レーザドーピング