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J-GLOBAL ID：201902222995070177   整理番号：19A0876056

Niドレイン源P3HT/PVA OFETにおける接触抵抗効果【JST・京大機械翻訳】

Contact Resistance Effects in Ni Drain-Source P3HT/PVA OFETs

著者 (2件)： Leite Gabriel Volkweis (PPGFis, Instituto de Fisica, UFRGS, Porto Alegre, RS, Brazil) ,  Boudinov Henri Ivanov (PPGFis, Instituto de Fisica, UFRGS, Porto Alegre, RS, Brazil)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 48  号： 2  ページ： 1268-1275  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるチャネル長(5μm,10μm,20μmおよび40μm)を有するポリ3-ヘキシルチオフェンおよび架橋ポリビニルアルコールのNi底接触およびAlトップゲート有機電界効果トランジスタを,標準フォトリソグラフィーおよび酸素プラズマエッチングを用いてガラス基板上に作製した。トランジスタは良好な電荷移動度,高いI_ON/I_OFF及び優れた環境及び時間安定性を示した。Shockleyモデルと伝送線路法(TLM)を適用してトランジスタを特性化した。両方法により移動度を抽出し,その差を考察した。チャネル長が短く,半導体の伝導度が高いほど,接触抵抗の影響が大きかった。このような場合,パラメータ抽出のためのTLMの使用が必須となる。Copyright 2018 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 伝送線路 ,  *ニッケル ,  アルミニウム ,  ポリビニルアルコール ,  酸素 ,  トランジスタ ,  *接触抵抗 ,  キャリア移動度 ,  半導体 ,  プラズマエッチング ,  キャラクタリゼーション ,  フォトリソグラフィー ,  移動度
準シソーラス用語： トップゲート ,  チャネル長 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： OFET ,  PVA ,  P3HT ,  接触抵抗 ,  有機エレクトロニクス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ni ,  ドレイン ,  P3HT ,  OFET ,  接触抵抗