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J-GLOBAL ID：201902223505657629   整理番号：19A1415943

熱電応用のためのSiGe_0.3に埋め込まれた高秩序化Siナノワイヤの複合膜【JST・京大機械翻訳】

Composite films of highly ordered Si nanowires embedded in SiGe_0.3 for thermoelectric applications

著者 (5件)： Kikuchi Akiou (Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-01 Aramaki Aoba, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Yao Akifumi (Central Glass Co. Ltd., 5253 Okiube, Ube City, Yamaguchi 755-0001, Japan) ,  Mori Isamu (Central Glass Co. Ltd., 5253 Okiube, Ube City, Yamaguchi 755-0001, Japan) ,  Ono Takahito (Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-01 Aramaki Aoba, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Samukawa Seiji (Institute of Fluid Science, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 16  ページ： 165302-165302-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンゲルマニウム(SiGe_0.3)中に埋め込まれた直径10nmのシリコンナノワイヤ(SiNW)の高密度アレイを作製し,熱電素子応用のための複合薄膜を作製した。SiNWアレイは,最初に,バイオテンプレートマスクと中性ビームエッチング技術により作製した。次に,SiNWアレイを,熱化学蒸着により,SiGe_0.3に埋め込んだ。厚さ100nmのSiNW-SiGe_0.3複合膜の交差面熱伝導率は,300~350Kの温度範囲で3.5±0.3W/mKであった。さらに,SiNW-SiGe_0.3複合材料の面内電気伝導率と面内Seebeck係数の温度依存性を評価した。作製したSiNW-SiGe_0.3複合膜は873Kで最大出力因子1×10~3W/mK2(Seebeck係数4.8×10~3μV/K,電気伝導率4.4×10~3S/m)を示した。現在の高密度SiNWアレイ構造は,如何なる金属も無しに,成熟Siプロセスを用いて,実用的な熱電デバイスを実現する新しいルートを表している。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気伝導率 ,  複合材料 ,  *ナノワイヤ ,  *複合膜 ,  熱伝導率 ,  *ケイ素 ,  熱電素子 ,  熱CVD ,  温度依存性 ,  薄膜 ,  エッチング
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  高密度 ,  シリコンナノワイヤ ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 応用 ,  秩序化 ,  Si ,  ナノワイヤ ,  複合膜