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J-GLOBAL ID：201902224486141936   整理番号：19A1328624

反強誘電体ゲート絶縁体を用いたSi MOSFETの駆動電流増強

Drive current enhancement of Si MOSFETs by using anti-ferroelectric gate insulators

著者 (4件)： YAMAGUCHI Masashi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  GOTOW Takahiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKENAKA Mitsuru (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAGI Shinichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SB  ページ： SBBA15.1-SBBA15.6  発行年： 2019年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *反強誘電体 ,  *ゲート絶縁膜 ,  ケイ素 ,  *MOSFET ,  *電流 ,  ヒステリシス ,  特性 ,  ハフニウム化合物 ,  ジルコニウム化合物 ,  酸化物 ,  膜厚
準シソーラス用語： *ゲート絶縁体 ,  *駆動電流 ,  分極ヒステリシス ,  トランスファー特性

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

引用文献 (32件)：

• S. Salahuddin and S. Datta, Nano Lett. 8, 405 (2008).
• A. Khan, C. W. Yeung, C. Hu, and S. Salahuddin, International Electron Devices Meeting, 2011, p. 11.3.1.
• G. Pahwa, T. Dutta, A. Agarwal, and Y. S. Chauhan, 46th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2016, p. 41.
• G. Pahwa, T. Dutta, A. Agarwal, S. Khandelwal, S. Salahuddin, C. Hu, and Y. S. Chauhan, IEEE Trans. Electron Devices 63, 4981 (2016).
• G. Pahwa, T. Dutta, A. Agarwal, S. Khandelwal, S. Salahuddin, C. Hu, and Y. S. Chauhan, IEEE Trans. Electron Devices 63, 4986 (2016).

タイトルに関連する用語 (6件)： 反強誘電体 ,  ゲート絶縁体 ,  Si ,  MOSFET ,  駆動電流 ,  増強