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J-GLOBAL ID：201902225539519409   整理番号：19A2329918

アルミ張りセラミック基板表面のNiスパッタリングによるGaNチップ銀焼結接合構造の冷熱衝撃耐性の向上

Improvement of Thermal Shock-resistance of Ag Sinter Bonded GaN Die on Al Metallized AlN Ceramic substrate by Employing Ni metallization on The Substrate Al surface

著者 (4件)： KIM Dongjin (Osaka Univ.) ,  CHEN Chuantong (Osaka Univ.) ,  NAGAO Shijo (Osaka Univ.) ,  SUGANUMA Katsuaki (Osaka Univ.)
資料名： マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集  (エレクトロニクス実装学会秋季大会論文集)
巻： 29th  ページ： 197-200  発行年： 2019年09月12日 
JST資料番号： X0060A  ISSN： 2434-396X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *基板 ,  *アルミニウム ,  *ニッケル ,  *チップ ,  銀 ,  粒子 ,  *接合 ,  *熱サイクル ,  剪断強さ ,  セラミック基板 ,  銀粒子 ,  *焼結接合 ,  機械的性質 ,  強度
準シソーラス用語： *温度サイクル ,  剪断強度

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (10件)： アルミ ,  セラミック ,  基板表面 ,  Ni ,  スパッタリング ,  GaN ,  銀 ,  焼結接合 ,  熱衝撃 ,  耐性