文献

J-GLOBAL ID：201902227651676258   整理番号：19A1461661

エッチングと組み合わせた二重ビームTOF-SIMSによるSiO_2/SiC界面のプロファイリングのための深さ分解能の最適化【JST・京大機械翻訳】

Optimization of the depth resolution for profiling SiO₂/SiC interfaces by dual-beam TOF-SIMS combined with etching

著者 (6件)： Sameshima Junichiro (Surface Science Laboratory, Toray Research Center, Inc., Otsu, Shiga, Japan) ,  Takenaka Aya (Surface Science Laboratory, Toray Research Center, Inc., Otsu, Shiga, Japan) ,  Muraji Yuichi (Surface Science Laboratory, Toray Research Center, Inc., Otsu, Shiga, Japan) ,  Ogawa Shingo (Surface Science Laboratory, Toray Research Center, Inc., Otsu, Shiga, Japan) ,  Yoshikawa Masanobu (Surface Science Laboratory, Toray Research Center, Inc., Otsu, Shiga, Japan) ,  Suganuma Katsuaki (Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Ibaraki, Osaka, Japan)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 51  号： 7  ページ： 743-753  発行年： 2019年 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO_2/SiCの界面での正確な深さプロファイルを調べるために,分布のわずかな不一致を検出できる高分解能が必要である。本研究では,二重ビーム飛行時間二次イオン質量分析(TOF-SIMS)を用いて,1nm以下の高分解能を達成する実験法を開発した。分析は次の3段階で行った。(1)分析ビーム(Bi+)とスパッタリングビーム(Cs+)の最適分析条件の決定,(2)SiO_2層を薄くするエッチング法の検証,(3)SiO_2/SiC試料に向けた低エネルギースパッタリングビームの利点の確認。デルタをドープしたホウ素多層を持つ試料のBN-およびBO-の二次イオン強度対谷比を用いて,高い深さ分解能のための適切なBi+/Cs+条件を,スパッタリングビームの各エネルギー準位に対して決定した。SiO_2層を薄くするためのエッチング法の検証により,異なるエッチング法で得られた試料間にわずかな相違が見られた。エッチングされた表面の粗さ値の差は,SiO_2/SiC界面におけるプロファイルの正確な観察によって低エネルギースパッタリングビームの性能確認のために積極的に利用された。0.25と0.5keVの間の低エネルギーのCsビームの使用は,試料間の1nm以下の粗さにおけるわずかな不一致の検出を可能にした。上述の方法は,試料間のSiO_2/SiC界面における固有分布の不一致を正確に検出する可能性を有している。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *最適化 ,  *エッチング ,  セシウム ,  ドーピング ,  二次イオン ,  スパッタリング ,  エネルギー準位 ,  深さプロフィル ,  多層 ,  表面粗さ ,  *界面
準シソーラス用語： 二層 ,  *プロファイリング ,  *一酸化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 深さプロファイル ,  エッチング ,  界面 ,  SiC ,  SiO2 ,  TOF-SIMS

分類 (2件)： 質量分析  (CC03013N) ,  無機化合物の物理分析  (CC03024P)

タイトルに関連する用語 (8件)： エッチング ,  二重ビーム ,  TOF-SIMS ,  SiC ,  界面 ,  プロファイリング ,  深さ分解能 ,  最適化