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J-GLOBAL ID：201902227751641284   整理番号：19A2598234

InGaNの表面-バルク電子状態評価

著者 (13件)： 井村将隆 (物質・材料研究機構) ,  津田俊輔 (物質・材料研究機構) ,  長田貴弘 (物質・材料研究機構) ,  山下良之 (物質・材料研究機構) ,  吉川英樹 (物質・材料研究機構) ,  小林啓介 (物質・材料研究機構) ,  小出康夫 (物質・材料研究機構) ,  太田優一 (都産技研) ,  村田秀信 (大阪府大) ,  山口智広 (工学院大) ,  金子昌充 (立命館大) ,  荒木努 (立命館大) ,  名西やすし (立命館大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.18a-PB3-23  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 背景 InxGa1-xN(0≦x≦1)の電子状態評価は、Al KαやMg Kαを単色光源とした軟X線光電子分光法(SX-PES)及び第一原理計算により積極的に行われてきた。しかしながら、InxGa1-xNの電子状態は、表面とバルクにて異なっ...【本文一部表示】

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  X線光電子分光法 ,  *光電子スペクトル ,  *電子状態 ,  バンド構造 ,  計算 ,  化合物半導体 ,  硬X線光電子分光 ,  第一原理計算 ,  *窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： *InGaN

分類 (1件)： X線スペクトル一般  (BM08101P)

タイトルに関連する用語 (4件)： InGaN ,  バルク ,  電子状態 ,  評価