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J-GLOBAL ID：201902228152403996   整理番号：19A2209588

ナノスケールUTBB FD-SOI MOSFETのランダム電信雑音における間欠性誘起臨界性【JST・京大機械翻訳】

Intermittency-induced criticality in the random telegraph noise of nanoscale UTBB FD-SOI MOSFETs

著者 (6件)： Contoyiannis Y. (Department of Electrical & Electronics Engineering, University of West Attica, Athens, Greece) ,  Potirakis S.M. (Department of Electrical & Electronics Engineering, University of West Attica, Athens, Greece) ,  Stavrinides S.G. (School of Science & Technology, International Hellenic University, Thessaloniki, Greece) ,  Hanias M.P. (Physics Department, International Hellenic University, Thessaloniki, Greece) ,  Tassis D. (Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki, Thessaloniki, Greece) ,  Theodorou C.G. (Institut de Microelectronique Electromagnetisme et Photonique (IMEP)-LAHC Minatec, Grenoble, France)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 216  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールの完全に枯渇した超薄体と埋め込まれた酸化物n-MOSFETにおけるドレイン電流を,臨界動力学の観点から研究した。MOSFETのチャネルを通して測定された電流によって形成された時系列は,ランダムなテレグラフ雑音(RTN)の形を持つように見える。この時系列を臨界ゆらぎ(MCF)法により解析した。その動力学は臨界間欠性と互換性がある。実行した定量的解析によると,電流値分布は自発的対称性破れ現象と互換性がある。さらに,対応するべき乗則に従って臨界の情報も運ぶ。最後に,MCF分析により,微量の三臨界動力学を同定した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *間欠性 ,  *電信 ,  チャネル ,  *雑音 ,  互換性 ,  *MOSFET ,  定量的分析 ,  酸化物 ,  *臨界 ,  電流 ,  べき乗則 ,  *電信雑音 ,  *ナノスケール
準シソーラス用語： ドレイン電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： ランダム電信雑音(RTN) ,  低周波雑音(LFN) ,  臨界現象 ,  間欠性 ,  三臨界動力学 ,  臨界ゆらぎ(MCF)の方法 ,  決定論的カオス的性質 ,  UTBB FD-SOI MOSFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノスケール ,  SOI ,  MOSFET ,  電信雑音 ,  間欠性 ,  誘起 ,  臨界