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J-GLOBAL ID：201902229744377911   整理番号：19A1465467

多量にドープした[数式:原文を参照]チャネルを持つデバイスにおけるスピンドリフトの定量化【JST・京大機械翻訳】

Quantification of Spin Drift in Devices with a Heavily Doped [Formula : see text] Channel

著者 (11件)： Spiesser A. (Spintronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Fujita Y. (Spintronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Saito H. (Spintronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Yamada S. (Department of Systems Innovation, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka 560-8531, Japan) ,  Yamada S. (Center for Spintronics Research Network, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka 560-8531, Japan) ,  Hamaya K. (Department of Systems Innovation, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka 560-8531, Japan) ,  Hamaya K. (Center for Spintronics Research Network, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka 560-8531, Japan) ,  Mizubayashi W. (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Endo K. (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Yuasa S. (Spintronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Jansen R. (Spintronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名： Physical Review Applied  (Physical Review Applied)
巻： 11  号： 4  ページ： 044020  発行年： 2019年 
JST資料番号： W3691A  ISSN： 2331-7019  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高ドープ[数式:原文を参照]チャネルにおけるスピン輸送に及ぼすドリフト電場の影響を非局所デバイスを用いて調べた。チャネル内に異なる電場パターンを持つ二つの測定配置に対する非局所スピンバルブ信号の比を用いて,正確にスピンドリフトを定量化する簡単な方法を確立した。スピン輸送長は電場の関数として得られ,高ドープ[数式:原文を参照]において,±400V/cmのドリフト電場は,純粋に拡散する輸送の長さスケールに対して,スピン輸送長(上下)を約2倍に修正することが分かった。この傾向はスピンドリフトに対する理論と一致するが,定量的比較により,理論がスピンドリフト(3倍)の効果を著しく過大評価することを明らかにした。これは,スピンドリフトの正確な実験的定量化が,実際のスピン輸送デバイスにおけるスピンドリフトの役割と重要性の正しい評価に重要であることを強調する。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 効果 ,  *ドーピング ,  電場 ,  *ドリフト ,  *チャネル
準シソーラス用語： 長さスケール ,  スピンバルブ ,  スピン輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドープ ,  数式 ,  参照 ,  チャネル ,  スピン ,  ドリフト ,  定量化