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J-GLOBAL ID：201902230389644383   整理番号：19A2598658

水素プラズマ処理導入によるダイヤモンド(111)MOS構造の界面準位密度低減とMOSFETのチャネル移動度向上

著者 (14件)： 桜井海匡 (金沢大) ,  松本翼 (金沢大) ,  長井雅嗣 (金沢大) ,  加藤宙光 (産業技術総合研) ,  牧野俊晴 (産業技術総合研) ,  小倉政彦 (産業技術総合研) ,  竹内大輔 (産業技術総合研) ,  山崎聡 (金沢大) ,  山崎聡 (産業技術総合研) ,  猪熊孝夫 (金沢大) ,  NEBEL C. E. (金沢大) ,  NEBEL C. E. (Fraunhofer IAF) ,  徳田規夫 (金沢大) ,  徳田規夫 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.18p-PA4-22  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 我々の研究室では近年、反転層チャネルダイヤモンドMOSFETを世界で初めて実現した[1]。しかし、MOS界面の高い界面準位密度(Dit)~1013 cm-2 eV-1が原因でチャネル移動度が低く、そのことが課題となっている。最近の研究におい...【本文一部表示】

シソーラス用語： *MOSFET ,  *キャリア移動度 ,  ダイヤモンド ,  *状態密度 ,  *薄膜コンデンサ ,  MOS構造 ,  電圧 ,  ゲート【半導体】 ,  反転層
準シソーラス用語： チャネル移動度 ,  界面準位密度 ,  MOSキャパシタ ,  ゲート電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素プラズマ ,  ダイヤモンド ,  MOS構造 ,  界面準位密度 ,  MOSFET ,  チャネル移動度