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J-GLOBAL ID：201902231890934388   整理番号：19A1375125

Si置換したFe₂VAlエピタキシャル薄膜の熱伝導率

著者 (12件)： 工藤康平 (大阪大 基礎工) ,  山田晋也 (大阪大 基礎工) ,  山田晋也 (阪大 基礎工 CSRN) ,  近田尋一朗 (大阪大 基礎工) ,  嶋貫雄太 (大阪大 基礎工) ,  石部貴史 (大阪大 基礎工) ,  阿保智 (大阪大 基礎工) ,  宮崎秀俊 (名古屋工大) ,  西野洋一 (名古屋工大) ,  中村芳明 (大阪大 基礎工) ,  浜屋宏平 (大阪大 基礎工) ,  浜屋宏平 (阪大 基礎工 CSRN)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10p-W351-2  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： BiTe系化合物に代わる次世代の熱電材料の一つとして,フェルミ準位付近に擬ギャップ構造を有しているホイスラー合金Fe2VAl(FVA)が注目されている[1].このFVA系の熱電性能の高性能化のためには,比較的高い熱伝導率を如何にして下げるか...【本文一部表示】

シソーラス用語： *ホイスラー合金 ,  *薄膜 ,  *熱伝導率 ,  ケイ素 ,  置換型原子 ,  *熱電材料
準シソーラス用語： *エピタキシャル膜 ,  置換原子

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  置換 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  熱伝導率