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J-GLOBAL ID：201902232073724418   整理番号：19A1305671

低温溶液プロセスにより作製した酸化インジウム亜鉛薄膜トランジスタへのストロンチウムドーピングの効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of strontium doping on indium zinc oxide thin film transistors fabricated by low-temperature solution process

著者 (10件)： Kim Jin-Hyun (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon 22212, Korea) ,  Nguyen Manh-Cuong (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon 22212, Korea) ,  Nguyen An Hoang-Thuy (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon 22212, Korea) ,  Kim Sang-Woo (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon 22212, Korea) ,  Choi Su-Jin (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon 22212, Korea) ,  Cheon Jong-Gyu (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon 22212, Korea) ,  Ji Hyung-Min (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon 22212, Korea) ,  Yu Kyoung-Moon (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon 22212, Korea) ,  Cho Seong-Yong (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon 22212, Korea) ,  Choi Rino (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Incheon 22212, Korea)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 37  号： 3  ページ： 032201-032201-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜トランジスタ(TFT)用の溶液処理金属酸化物半導体は,電気性能を改善するために高温アニーリングを必要とする。一方,高温プロセスはフレキシブル基板に適用できず,MOS膜のフレキシブルデバイスへの応用を妨げる障害である。本論文は,ストロンチウム(Sr)ドーピングと真空アニーリングによる低温溶液処理酸化インジウム亜鉛(IZO)TFTの電気的特性を改善するための簡単な方法を報告する。IZO薄膜へのSrの添加は,酸素イオンによるSrの強い結合エネルギーにより酸素空孔の密度を減少させ,IZO TFTの電気安定性を改善した。一方,真空アニーリングは低酸素分圧から生じるIZO膜中の酸素空孔の数を増加させ,キャリア濃度の増加をもたらした。これらの二つの方法を組み合わせることにより,2molで8.75cm~2V~-1s-1の高い電界効果移動度をもつSrドープIZO TFTが得られた。Srドーピングの%を作製した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  電気的性質 ,  *薄膜 ,  焼なまし ,  *ドーピング ,  *低温 ,  *薄膜トランジスタ ,  結合エネルギー ,  *ストロンチウム ,  高温
準シソーラス用語： 酸素分圧 ,  酸素空格子点 ,  フレキシブルデバイス ,  溶液処理 ,  *酸化インジウム亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 低温 ,  溶液 ,  プロセス ,  作製 ,  酸化インジウム亜鉛 ,  薄膜トランジスタ ,  ストロンチウム ,  ドーピング