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J-GLOBAL ID：201902234484722971   整理番号：19A0180185

再生ポリシランからの多結晶Si薄膜トランジスタの溶液ベース作製【JST・京大機械翻訳】

Solution-Based Fabrication of Polycrystalline Si Thin-Film Transistors from Recycled Polysilanes

著者 (3件)： Sberna Paolo M. (Quantum Engineering Department, Delft University of Technology, The Netherlands) ,  Trifunovic Miki (QuTech, Delft University of Technology, The Netherlands) ,  Ishihara Ryoichi (QuTech and Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, The Netherlands)
資料名： ACS Sustainable Chemistry & Engineering  (ACS Sustainable Chemistry & Engineering)
巻： 5  号： 7  ページ： 5642-5645  発行年： 2017年 
JST資料番号： W5047A  ISSN： 2168-0485  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在,研究はシクロシランの印刷とレーザ結晶化に焦点を合わせており,優れた特性を持つ多結晶シリコン(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)をもたらしている。しかし,これらのSi系インクの合成は一般的に複雑で高価である。ここでは,シリコンガスと誘導体の副産物として得られたポリシランインクが,室温,n-およびp-チャネルTFTに対して,レーザアニーリングによるポリSiの合成に成功裏に使用できることを証明した。350°CにおけるCMOS互換プロセスに従って作製した素子は,n型およびp型TFTに対して,それぞれ8および2cm~2/(Vs)までの電界効果移動度を示した。提示した方法は,リサイクル材料の使用による低コスト被覆技術を結合し,大面積,柔軟性,および使い捨て/単一使用エレクトロニクスの便利で持続可能な生産への道を開く。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *シラン ,  チャネル ,  柔軟性 ,  *薄膜トランジスタ ,  *ケイ素 ,  インク ,  *ポリシラン ,  *ポリシリコン ,  CMOS ,  リサイクル ,  レーザアニーリング ,  電子技術
準シソーラス用語： 大面積 ,  電界効果移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： ジシラン副産物 ,  副産物リサイクル ,  ポリシラン ,  低温製造 ,  薄膜トランジスタ ,  多結晶シリコン ,  溶液処理

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ポリシラン ,  多結晶Si ,  薄膜トランジスタ ,  溶液 ,  作製