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J-GLOBAL ID：201902234540644109   整理番号：19A1414682

高破壊電圧のヘテロ接合p-Cu_2O/n-Ga_2O_3ダイオード【JST・京大機械翻訳】

Heterojunction p-Cu₂O/n-Ga₂O₃ diode with high breakdown voltage

著者 (6件)： Watahiki Tatsuro (Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation, 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, 661-8661 Hyogo, Japan) ,  Yuda Yohei (Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation, 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, 661-8661 Hyogo, Japan) ,  Furukawa Akihiko (Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation, 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, 661-8661 Hyogo, Japan) ,  Yamamuka Mikio (Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation, 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, 661-8661 Hyogo, Japan) ,  Takiguchi Yuki (Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8550, Japan) ,  Miyajima Shinsuke (School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8550, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 22  ページ： 222104-222104-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロ接合p-Cu_2O/n-β-Ga_2O_3ダイオードをエピタキシャル成長β-Ga_2O_3(001)層上に作製した。これらのp-nダイオードの逆破壊電圧は,8.2mΩcm2の比オン抵抗で1.49kVに達した。p-nダイオードの漏れ電流は,電子に対する障壁高さが高いため,Schottky障壁ダイオードの漏れ電流よりも低かった。p-nダイオードの理想因子は1.31であった。それは,界面における再結合電流の一部が順方向電流に寄与するが,拡散電流が支配的であることを示した。100A/cm2以上の順方向電流はバルク特性から予測されたものよりもCu_2OとGa_2O_3層の間のヘテロ界面における低い伝導帯オフセットを示し,限界のないこのような高い順方向電流をもたらした。これらの結果は,より高い絶縁破壊電圧とより低いオン抵抗を達成するために,広いバンドギャップGa_2O_3のための高度なデバイス構造の可能性を開いた。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  伝導バンド ,  Schottky障壁ダイオード ,  素子構造 ,  再結合 ,  電流 ,  エピタクシー ,  オン抵抗 ,  バンドギャップ ,  漏れ電流 ,  *ダイオード ,  界面
準シソーラス用語： ヘテロ界面 ,  理想因子 ,  *絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 破壊電圧 ,  ヘテロ接合 ,  ダイオード