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J-GLOBAL ID：201902234855790221   整理番号：19A0124872

ScAlN膜の結晶方位とK_T_2に対するアーク融解及びホットプレス焼結ScAl合金ターゲットに及ぼす負イオン発生の影響【JST・京大機械翻訳】

The Influence of Negative Ions Generation on the Arc-Melted and Hot Press Sintered Scal Alloy Targets to the Crystalline Orientation and k_t² of the Scaln Films

著者 (7件)： Endo Yuka (Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Karasawa Rei (Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Takayanagi Shinji (Nagoya Institute of Technology, Aichi, Japan) ,  Imakawa Makoto (FURUYA METAL CO., Ltd., Tokyo, Japan) ,  Morisaka Keisuke (FURUYA METAL CO., Ltd., Tokyo, Japan) ,  Suzuki Yu (FURUYA METAL CO., Ltd., Tokyo, Japan) ,  Yanagitani Takahiko (Waseda University, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IUS  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 移動通信で使用される周波数フィルタのために,膜バルク音響共振器(FBAR)が一般的になる。AlN膜をFBARの圧電材料に用いた。ScAlN膜の高い圧電性はFBAR材料として多くの注目を集めている。しかし,Sc金属ターゲットにおける負イオン発生は,スパッタリング成長中のScAlN膜上のイオン衝撃による結晶性の劣化を誘起する。スパッタリングターゲットにおける大量のO-およびCN-イオン発生が観察された。本研究では,異なる酸素と炭素濃度を持つアーク融解と焼結したScAl合金ターゲットの負イオンのエネルギー分布を比較した。これらの異なるターゲットで作製したScAlN膜のc軸配向と電気機械結合係数kt2も比較した。その結果,2つのターゲットのkt2は以前の報告よりも大きかった。2つのターゲットにおけるO-とCN-イオン発生量には大きな差があった。しかし,それはScAlN膜の結晶化とkt2の結果に著しく影響しなかった。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *アニオン ,  *焼結 ,  *窒化アルミニウム ,  結晶化 ,  *ホットプレス ,  *スカンジウム ,  *アーク融解 ,  スパッタリング ,  フィルタ ,  圧電材料 ,  酸素 ,  結晶度 ,  *結晶方位 ,  *アルミニウム合金
準シソーラス用語： 電気機械結合係数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 結晶方位 ,  アーク融解 ,  ホットプレス焼結 ,  ターゲット ,  負イオン