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J-GLOBAL ID：201902236518978512   整理番号：19A1376532

Naフラックス法における4端子法抵抗測定を用いた窒素溶解量のモニタリング

著者 (7件)： TANDRYO Ricksen (大阪大 工) ,  村上航介 (大阪大 工) ,  山田拓海 (大阪大 工) ,  北村智子 (大阪大 工) ,  今西正幸 (大阪大 工) ,  吉村政志 (大阪大 工) ,  森勇介 (大阪大 工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.12a-W541-11  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】Naフラックス法を用いたGaN結晶成長では、成長速度及び、成長ハビットを決める一因である窒素溶解量を把握することは重要である。これまで、Naフラックス法では、高温、高圧、腐食性ガス雰囲気という過酷な成長環境によりフラックス中の窒...【本文一部表示】

シソーラス用語： *ナトリウム ,  *液体金属 ,  フラックス法 ,  精密測定 ,  *電気抵抗 ,  *窒素 ,  *溶解 ,  監視 ,  *窒化ガリウム ,  四端子法 ,  *液体金属ナトリウム
準シソーラス用語： *液体ナトリウム ,  モニタリング ,  GaN

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： Na ,  フラックス法 ,  4端子法 ,  抵抗測定 ,  窒素 ,  溶解 ,  モニタリング