文献

J-GLOBAL ID：201902236998326809   整理番号：19A1625502

パルスレーザ蒸着により成長させた炭化けい素薄膜のレーザ支援ドーピング【JST・京大機械翻訳】

Laser Assisted Doping of Silicon Carbide Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition

著者 (7件)： Paneerselvam Emmanuel (Department of Engineering Design, Indian Institute of Technology Madras, Chennai, India) ,  Lakshmi Narayanan Vinoth Kumar (Department of Engineering Design, Indian Institute of Technology Madras, Chennai, India) ,  Vasa Nilesh J. (Department of Engineering Design, Indian Institute of Technology Madras, Chennai, India) ,  Higashihata Mitsuhiro (Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan) ,  Nakamura Daisuke (Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan) ,  Ikenoue Hiroshi (Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan) ,  Ramachandra Rao M. S. (Department of Physics, Nano Functional Materials Technology Centre and Materials Science Research Centre, Indian Institute of Technology Madras, Chennai, India)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 48  号： 6  ページ： 3468-3478  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 800°Cの基板温度で酸化マグネシウム[MgO(100)]基板上にパルスレーザ蒸着(PLD)により立方晶炭化ケイ素(3C-SiC)膜を成長させた。さらに,p型SiCをPLD成長した真性SiC膜にAlをレーザ支援ドーピングすることによって調製した。成長した薄膜におけるSiC相をX線回折(XRD)により確認し,Si-C結合構造をFourier変換赤外分光分析により同定した。XRDとRaman散乱法に基づく測定は,レーザ支援ドーピングによる3C-SiC薄膜の結晶化の改善を確認した。2つのプローブ技術によるI-V特性,エネルギー分散スペクトルによる元素分析,X線光電子分光法による結合エネルギー,Hall効果によるキャリア濃度の研究は,SiC薄膜におけるAlドーピングを確実にした。紫外可視NIR分光分析から,PLD成長3C-SiCの光学バンドギャップを得た。レーザ支援ドーピングの機構を理解するために,温度とキャリア濃度分布の数値解析をシミュレートした。Copyright 2019 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  結晶化 ,  *レーザ ,  *パルスレーザ蒸着 ,  プローブ ,  *薄膜成長 ,  *ドーピング ,  立方晶系 ,  炭化ケイ素 ,  *炭化 ,  スペクトル ,  Raman散乱 ,  *薄膜 ,  酸化マグネシウム ,  X線回折 ,  アルミニウム

著者キーワード (5件)： 炭化ケイ素 ,  パルスレーザ蒸着 ,  MgO(100)基板 ,  レーザ支援ドーピング ,  p型SiC

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： パルスレーザ蒸着 ,  成長 ,  炭化 ,  けい素薄膜 ,  レーザ ,  支援 ,  ドーピング