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J-GLOBAL ID：201902237097796293   整理番号：19A2933032

相境界付近のMOCVD-Pb(Zr,Ti)O₃膜の結晶構造における電界誘起変化

Electric field-induced change in the crystal structure of MOCVD-Pb(Zr,Ti)O₃ films near the phase boundary

著者 (3件)： INOUE Hidehisa (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  SHIMIZU Takao (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  FUNAKUBO Hiroshi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SL  ページ： SLLB07.1-SLLB07.4  発行年： 2019年11月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 相境界 ,  MOCVD ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  結晶構造 ,  *相転移 ,  誘電分極 ,  正方晶系 ,  三方晶系 ,  依存性 ,  変化 ,  酸化物薄膜 ,  構造変化 ,  *電場誘起相転移 ,  電場依存性
準シソーラス用語： 結晶相境界 ,  *チタン酸ジルコニウム酸鉛 ,  *電界誘起相転移 ,  ポーリング処理 ,  菱面体晶系 ,  電界依存性

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 相境界 ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  結晶構造 ,  電界 ,  誘起