IWASAKI Sho について
Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN について
KAWAI Yoshiki について
Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN について
TAKAHASHI Shotaro について
Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN について
SUDA Takaya について
Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN について
WANG Ying について
Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN について
KOSHINO Yasunori について
Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN について
OGURA Fumiya について
Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN について
SHIBAYAMA Yoshiyuki について
Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN について
KUROSAWA Tohru について
Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について
ODA Migaku について
Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について
IDO Masayuki について
Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について
MOMONO Naoki について
Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN について
Journal of the Physical Society of Japan について
超伝導体 について
ビスマス化合物 について
硫化物 について
フッ化物 について
ネオジム化合物 について
ランタン化合物 について
サマリウム化合物 について
X線回折 について
ドーピング について
電気抵抗率 について
係数 について
電荷密度波 について
相転移 について
エネルギーギャップ について
結合角 について
核間距離 について
不安定性 について
酸化物 について
Hall係数 について
格子不安定性 について
電荷密度波転移 について
酸化物系超伝導体の物性 について
超伝導体 について
La について
Sm について
輸送特性 について