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J-GLOBAL ID：201902239633759403   整理番号：19A2619237

窒素ドープボディを用いた反転層ダイヤモンドMOSFETの特性

著者 (12件)： 松本翼 (金沢大) ,  桜井海匡 (金沢大) ,  山河智哉 (金沢大) ,  加藤宙光 (産業技術総合研) ,  牧野俊晴 (産業技術総合研) ,  小倉政彦 (産業技術総合研) ,  竹内大輔 (産業技術総合研) ,  山崎聡 (金沢大) ,  山崎聡 (産業技術総合研) ,  猪熊孝夫 (金沢大) ,  徳田規夫 (金沢大) ,  徳田規夫 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.20a-E312-4  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： リンドープボディを用いて、反転層チャネルダイヤモンドMOSFETを実現し、1010を超える高いオンオフ比やノーマリーオフ特性を示した[1]。しかし、バルクの高いキャリア移動度を反映した高い電界効果移動度μFEは得られていない。高いμFEを実...【本文一部表示】

シソーラス用語： *窒素 ,  *ドーピング ,  *反転層 ,  *ダイヤモンド ,  *MOSFET ,  特性 ,  キャリア移動度 ,  電界効果移動度 ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： トランスファー特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒素ドープ ,  ボディ ,  反転層 ,  ダイヤモンド ,  MOSFET