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J-GLOBAL ID:201902242087420101   整理番号:19A0491641

Si上に被覆され(Ar-N2-H2)膨張プラズマに曝露されたTi膜におけるケイ化物と窒化物の形成【JST・京大機械翻訳】

Silicides and Nitrides Formation in Ti Films Coated on Si and Exposed to (Ar-N2-H2) Expanding Plasma
著者 (8件):
資料名:
巻:号:ページ: 23  発行年: 2017年 
JST資料番号: U7162A  ISSN: 2079-6412  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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Ti窒化物およびケイ化物の機械的,光学的および電気的性質を含む物理的性質は,保護被覆,拡散の障壁,相互接続などの多くの応用に対して非常に魅力的である。Ti膜中の窒化物とケイ化物の同時形成はそれらの電気的性質を改善する。Siウエハ上に被覆したTi膜を種々の温度で加熱し,種々の処理時間に対してマイクロ波(Ar-N2-H2)プラズマを膨張させて処理した。Ti-Si界面はTi格子へのSi拡散の中心であり,Ti表面はTi膜へのN拡散の中心であり,Ti窒化物の形成である。ケイ化物と窒化物の成長は,熱力学的および速度論的に制御される2つの競合過程を引き起こす。ケイ化物の形成速度に及ぼす厚さの影響を同定した。準安定C49TiSi2相は約600°Cで結晶化する安定なC5TiSi2相の主な前駆体であるが,TiNは約800°Cで結晶化する。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  固体中の拡散一般 
引用文献 (35件):

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