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J-GLOBAL ID:201902242487838556   整理番号:19A0489019

CMOS互換リソグラフィー技術によりシリコン中に作製した低損失マイクロ共振器フィルタ:設計と特性評価【JST・京大機械翻訳】

Low-Loss Micro-Resonator Filters Fabricated in Silicon by CMOS-Compatible Lithographic Techniques: Design and Characterization
著者 (12件):
資料名:
巻:号:ページ: 174  発行年: 2017年 
JST資料番号: U7135A  ISSN: 2076-3417  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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光共振器は,同調可能なオンチップ光フィルタとして,Siフォトニック集積回路の開発のための基本的な構成要素である。特定の応用に従って変化する可能性のある特定のスペクトル形状に加えて,これらのデバイスからの極端に低い損失が重要な要件である。現在の最先端のデバイスにおいて,ほとんどの低損失フィルタは,アドホックリソグラフィーとエッチング技術を利用することによってのみ実証されており,Siフォトニック基礎において利用可能な標準CMOS(相補的金属-酸化物半導体)プロセスフローと互換性がない。本論文では,以前に検証されたリソグラフィーエッチ深さのみを用いて,1dB以下の挿入損失をもつ高性能光フィルタの実現を可能にするSOI(絶縁体上のシリコン)プラットフォーム上に作製した,高さが220nm以下のSi導波路に基づく光学マイクロ共振器の設計と最適化について述べた。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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光デバイス一般 
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