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J-GLOBAL ID：201902243620470617   整理番号：19A2893960

GaNによるワンチップ・マルチレベル電力変換器における損失解析モデル

Analytical Loss Modeling for GaN-based Single-Chip Multilevel Converter Circuits

著者 (1件)： 中島昭 (産業技術総合研)
資料名： 電気学会研究会資料
号： EDD-19-075-086/SPC-19-161-172 電子デバイス研究会/半導体電力変換研究会  ページ： 41-46  発行年： 2019年11月28日 
JST資料番号： Z0924B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *電力変換器 ,  *損失 ,  *解析 ,  モデリング ,  集積回路 ,  発熱 ,  効率 ,  数値解析 ,  小型
準シソーラス用語： *GaN ,  パワーIC ,  *マルチレベル変換器 ,  超小型 ,  変換効率

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (22件)：

• H. Ohashi and I. Omura, ′′Role of simulation technology for the progress in power devices and their applications,′′ IEEE Trans. Electron Devices, vol. 60, no. 2, pp. 528-534, Feb. 2013.
• M. Rose and H. J. Bergveld, ′′Integration trends in monolithic power ICs: application and technology challenges,′′ IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 51, no. 9, pp. 1965-1974, Sep. 2016.
• D. Disney, T. Letavic, T. Trajkovic, T. Terashima, and A. Nakagawa, ′′High-voltage integrated circuits: history, state of the art, and future prospects,′′ IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, no. 3, pp. 659-673, Mar. 2017.
• W. Chen, K.-Y. Wong, and K. J. Chen, ′′Single-chip boost converter using monolithically integrated AlGaN/GaN lateral field-effect rectifier and normally off HEMT,′′ IEEE Electron Device Lett., vol. 30, no. 5, pp. 430-432, May 2009.
• Y. Uemoto, T. Morita, A. Ikoshi, H. Umeda, H. Matsuo, J. Shimizu, M. Hikita, M. Yanagihara, T. Ueda, T. Tanaka, and D. Ueda, ′′GaN monolithic inverter IC using normally-off gate injection transistors with planar isolation on Si substrate,′′ in IEDM Tech. Dig., 2009, p.150.

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  マルチレベル ,  電力変換器 ,  損失 ,  解析モデル