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J-GLOBAL ID：201902244311979126   整理番号：19A0511923

表面抵抗を低減するためのYBa2Cu3Oy薄膜における人工ピン止め中心の導入の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of Introduction of Artificial Pinning Center in YBa2Cu3Oy Thin Films to Reduce Surface Resistance

著者 (7件)： Takanashi Naoki (Graduated School of Science and Engineering, Yamagata University, Yonezawa, Japan) ,  Kondo Masaya (Graduated School of Science and Engineering, Yamagata University, Yonezawa, Japan) ,  Matsui Hiroaki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Narita Yuzuru (Graduated School of Science and Engineering, Yamagata University, Yonezawa, Japan) ,  Saito Atsushi (Graduated School of Science and Engineering, Yamagata University, Yonezawa, Japan) ,  Nakajima Kensuke (Graduated School of Science and Engineering, Yamagata University, Yonezawa, Japan) ,  Ohshima Shigetoshi (Graduated School of Science and Engineering, Yamagata University, Yonezawa, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Applied Superconductivity  (IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 27  号： 4  ページ： ROMBUNNO.7200304.1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0177A  ISSN： 1051-8223  CODEN： ITASE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： YBa_2Cu_3O_y(YBCO)薄膜における人工ピン止め中心(APC)の表面抵抗(R_s)を低減する効果を調べた。APCの導入は臨界電流密度(J_c)を増加させることができるので,APCはYBCO薄膜のR_sを減少させることが期待される。この効果を明らかにするために,APCsを導入するためにSiイオン照射と中性子照射を選択した。CeO_2バッファAl_2O_3基板上に堆積した厚さ300nmのYBCO薄膜において,500keVと4の1012イオン/cm2のSiイオンと1MeVの変換での1.34の1012n/cm2の中性子を照射した。APCのないYBCO薄膜のΔωとδφは,それぞれ1.0度以下と2.0度未満であり,これらの値はSiイオンと中性子照射によって非常に大きく変化しなかった。Siイオン照射と中性子照射の有無によるYBCO薄膜のR_sを誘電共振器法を用いて測定した。印加磁場は最大5Tであった。R_s(0)の磁場依存性は,すべてのYBCO薄膜においてR_s(90)のそれより小さかった。Siイオン照射および中性子照射YBCO薄膜のR_s(90)は減少し,Siイオン照射薄膜のR_s(90)は,20Kおよび5Tにおいて非照射薄膜の約1/3であることを見出した。さらに,すべてのYBCO薄膜のR_s(0)は,磁場が20Kで増加するにつれて,いくらか減少した。結果として,YBCO薄膜へのSiイオンの照射は磁場下でのR_sの低減に有効であり,以前に報告された酸化物微粒子の添加よりも効果が強いことを明らかにした。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁場 ,  中性子照射 ,  中性子 ,  酸化物 ,  *薄膜 ,  共振器 ,  YBCO薄膜 ,  表面抵抗 ,  微粒子 ,  臨界電流密度 ,  磁場依存性 ,  印加磁場 ,  ケイ素イオン
準シソーラス用語： ピン止め中心 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： パターン認識  (JE07000S) ,  信号理論  (ND02020G) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 表面抵抗 ,  薄膜 ,  人工 ,  ピン止め中心