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J-GLOBAL ID：201902244992995615   整理番号：19A0402288

六方晶系窒化ホウ素バッファ層によるSiO_2上のグラフェンの成長【JST・京大機械翻訳】

Growth of graphene on SiO₂ with hexagonal boron nitride buffer layer

著者 (5件)： Entani Shiro (Quantum Beam Science Research Directorate, National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, Takasaki, Gunma 370-1292, Japan) ,  Takizawa Masaru (Department of Physical Sciences, Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan University, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan) ,  Li Songtian (Quantum Beam Science Research Directorate, National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, Takasaki, Gunma 370-1292, Japan) ,  Naramoto Hiroshi (Quantum Beam Science Research Directorate, National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, Takasaki, Gunma 370-1292, Japan) ,  Sakai Seiji (Quantum Beam Science Research Directorate, National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, Takasaki, Gunma 370-1292, Japan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 475  ページ： 6-11  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 六方晶窒化ホウ素(h-BN)バッファ層の挿入による絶縁体基板上のグラフェン成長のワンスループロセスは,グラフェンと絶縁体の間の界面相互作用の緩和と基板の平坦性の増強により,グラフェン素子の電子輸送特性の性能の著しい改善をもたらすと期待される。本研究では,機械的移動プロセスなしに直接化学蒸着(CVD)によりグラフェン/h-BN/SiO_2ヘテロ構造を作製することに成功した。h-BNはSiO_2上のグラフェンの成長を促進するが,h-BN層のないグラフェン成長は非常に困難であることが分かった。グラフェンとh-BNの電子構造を,顕微Raman分光法と近吸収端X線吸収微細構造(NEXAFS)分光法を用いて研究した。BおよびN K端NEXAFSは,BN_3_xO_x(x=1,2,3)の化学形態を有する置換型酸素不純物が,h-BN/SiO_2およびグラフェン/h-BN/SiO_2の両方に存在することを明らかにした。O置換不純物の数はh-BN/SiO_2よりもグラフェン/h-BN/SiO_2の方が2倍大きく,これはグラフェン成長中のSiO_2とメタノールからの酸素との反応に起因すると推定される。グラフェンとh-BNの間の界面相互作用は,グラフェン/h-BN/SiO_2において弱いことがわかった。本研究はCVDで成長させたh-BN層がグラフェン素子の優れたバッファ層であり,直接グラフェン成長を可能にし,絶縁体基板との相互作用を減少させることを示した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  電子構造 ,  相互作用 ,  *バッファ層 ,  顕微Raman分光法 ,  酸素 ,  絶縁体 ,  不純物 ,  吸収端 ,  基板 ,  *グラフェン ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： NEXAFS ,  ヘテロ構造 ,  輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： グラフェン ,  h-BN ,  バッファ層 ,  化学蒸着 ,  NEXAFS

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

物質索引 (1件)： メタノール

タイトルに関連する用語 (4件)： 六方晶系窒化ホウ素 ,  バッファ層 ,  グラフェン ,  成長