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J-GLOBAL ID：201902245009377526   整理番号：19A2501618

MOS_2薄膜トランジスタの電気安定性に及ぼす厚み依存構造欠陥の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of thickness-dependent structural defects on electrical stability of MoS₂ thin film transistors

著者 (9件)： Park Ji-In (Center for Research Equipment, Korea Basic Science Institute, Daejeon, 34133, Republic of Korea) ,  Park Ji-In (Busan Center, Korea Basic Science Institute, Busan, 46241, Republic of Korea) ,  Jang Yujin (Busan Center, Korea Basic Science Institute, Busan, 46241, Republic of Korea) ,  Bae Jong-Seong (Busan Center, Korea Basic Science Institute, Busan, 46241, Republic of Korea) ,  Yoon Jang-Hee (Busan Center, Korea Basic Science Institute, Busan, 46241, Republic of Korea) ,  Lee Hyun Uk (Advanced Nano-surface Research Group, Korea Basic Science Institute, Daejeon, 34133, Republic of Korea) ,  Wakayama Yutaka (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Kim Jong-Pil (Busan Center, Korea Basic Science Institute, Busan, 46241, Republic of Korea) ,  Jeong Yesul (Busan Center, Korea Basic Science Institute, Busan, 46241, Republic of Korea)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 814  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二硫化モリブデン(MoS_2)薄膜トランジスタ(TFT)の電気的安定性と信頼性を,劣化機構を有する厚さ依存性構造欠陥を関連させることによって研究した。異なる厚さのパターン化MoS_2膜を,改良多段階化学蒸着法によりトランジスタチャネルとして用いるために作製した。X線光電子分光(XPS)分析は,約3nmの厚さまでの高度に層状で化学量論的なMoS_2膜が表面の周りに形成され,一方,Mo金属結合が膜の底部(9nm)の周りで支配的であることを明らかにした。このようにして調製したMoS_2膜のトランジスタ特性の変化を,正と負のバイアス応力(それぞれPBSとNBS)を適用して調べた。実験データは,3nm厚膜を持つMoS_2 TFTがPBSとNBS条件の両方で安定な挙動を示したが,9nm厚膜を持つものは電気性能の明らかなシフトを示した(△Vth<1.15V,△μすわった<0.10cm~2/V)。これらの結果は,XPS分析と共に,PBS下でのMoS_2 TFTの不安定性が硫黄格子間原子により支配されるが,NBS下でのそれらの不安定性は酸素空格子点と金属Mo欠陥により引き起こされることを明らかにした。厚膜の不十分な硫化により生成される原子構造欠陥とMoS_2 TFTの電気的不安定性の間の相関に関する追加の詳細について議論した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 硫黄 ,  電気特性 ,  化学量論 ,  チャネル ,  化学蒸着 ,  バイアス ,  *薄膜トランジスタ ,  モリブデン ,  *トランジスタ ,  X線光電子分光法 ,  不安定性 ,  厚膜 ,  パターン形成
準シソーラス用語： 厚み依存性 ,  *構造欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 二硫化モリブデン ,  薄膜トランジスタ ,  電気的安定性 ,  Biasストレス試験 ,  原子構造欠陥 ,  X線光電子分光法

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜トランジスタ ,  安定性 ,  厚み ,  構造欠陥