文献

J-GLOBAL ID：201902245889521204   整理番号：19A2618566

Zn誘起層交換によるp型/n型Si_1-xGe_x薄膜の合成とフレキシブル熱電応用

著者 (4件)： 辻美紀江 (筑波大 大学院) ,  末益崇 (筑波大 大学院) ,  都甲薫 (筑波大 大学院) ,  都甲薫 (JST-さきがけ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.19p-E307-12  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】SiGe混晶は,宇宙用の熱電変換素子として高い実績を持つ.我々はAl誘起層交換を用いることで,高性能化と低温プロセスを両立し,プラスチック上で最高水準のp型SiGe熱電薄膜を合成した[1].一方,Alがアクセプタとして働くことか...【本文一部表示】

シソーラス用語： *ケイ化物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *半導体薄膜 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  固溶体 ,  *熱電素子 ,  宇宙飛行体 ,  薄膜成長 ,  化学合成 ,  低温 ,  *亜鉛 ,  交換 ,  電子回折 ,  スパッタ蒸着 ,  電気特性 ,  熱電効果
準シソーラス用語： 熱電変換素子 ,  低温合成 ,  層交換 ,  EBSD ,  熱電特性

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (4件)： Zn ,  誘起 ,  薄膜 ,  応用