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J-GLOBAL ID：201902246554657843   整理番号：19A2341314

シリコンフォトニクスにおける非晶質低屈折率活性材料の集積【JST・京大機械翻訳】

Integration of Amorphous Low Refractive Index Active Materials in Silicon Photonics

著者 (4件)： Orobtchouk R. (INSA, Institut des Nanotechnologies de Lyon, CNRS UMR5270, University of Lyon, Villeurbanne, 69100) ,  Belarouci A. (INSA, Institut des Nanotechnologies de Lyon, CNRS UMR5270, University of Lyon, Villeurbanne, 69100) ,  Vilquin B. (INSA, Institut des Nanotechnologies de Lyon, CNRS UMR5270, University of Lyon, Villeurbanne, 69100) ,  Romeo P. Rojo (INSA, Institut des Nanotechnologies de Lyon, CNRS UMR5270, University of Lyon, Villeurbanne, 69100)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ICTON  ページ： 1  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この10年間のシリコンフォトニクス回路の急速な進歩により,データ通信のための重要な技術となっている。このような回路の光学的機能性を向上させるためには,異なる物理的性質を持つ新しい材料[1]-[3]のモノリシック集積が困難である。本研究は,高Band Gap(HBG)と低屈折率材料から構成される2層のスタックをHFO_2,AlN,SiC,非晶質シリコンのスタックをInsulator(SOI)基板(図1a)上に集積できる一般的な導波路構成に焦点を合わせた。利点HEWは,HBGがTE様モードとの重なりが最適な導波路の中心部に位置するので,光の偏光(TEとTM)の両方に対して,HBG活性材料との相互作用が最大化されることである。この効果はTM様モードで生じるスロット効果により増加し,導波路における光閉込めはHBG材料を保存する非晶質シリコン(a-Si)上層のみをエッチングすることにより得られる。また,横方向電極は,高速限界の原因となる静電容量寄生効果を克服するHBG材料上に直接置くことができる。図形1:(a)ガイド構造の断面積(a-Si/LR/SOI);(b)MMIスプリッタ;(c)対称Mach-Zehnder;(d)ラセトラック共振器。デバイスの作製は,低コスト技術によるHBGとa-Siの堆積から始まる:RFマグネトロンスパッタリングおよび/またはゾル-ゲル堆積。Fig.1b,1c,1dで示された光ルーチングのための導波路と基本構成ブロックを,電子ビームリソグラフィにより実現し,Reactive Ionic Etching(RIE)によりa-Si層に転写した。最後に,デバイスを1ミクロンPECVD SiO_2キャップ層にカプセル化した。一連の試験装置の光学的特性化により,導波路の直線と曲がり部分の両方の伝搬損失と分散則の決定が可能になった。最初の測定により,SiC,AlNおよびHfO_2モデリングに対して,伝搬損失はそれぞれ5,8および12dB/cmの範囲にあり,自家製モードソルバ[4]により実行されることを示した。モードソルバを用いて,-Si層(3dB/cm)の堆積により含まれるHBG層における電子ビームリソグラフィ(1.3dB/cm)のステッチングにより誘起された点欠陥に起因する伝搬損失を計算し,実験的分散則を理論と比較した。作製プロセスにより誘起された欠陥を克服するために,低損失a-Si層堆積とレーザリソグラフィの新しい処方を用いた次の実行が進行中である。異なる試料について光学的非線形特性化を行った。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高速度 ,  *非晶質 ,  導波路 ,  対称性 ,  キャラクタリゼーション ,  アモルファスシリコン ,  静電容量 ,  モデリング ,  偏光 ,  共振器 ,  電子ビームリソグラフィー ,  ゾル-ゲル法
準シソーラス用語： ソルバ ,  伝搬損失 ,  *シリコンフォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコンフォトニクス ,  非晶質 ,  低屈折率 ,  活性 ,  集積