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J-GLOBAL ID：201902246893102210   整理番号：19A2403927

2つのh-BNシート間の電子ビームレジストフリー化学蒸着グラフェンデバイスにおけるコンダクタンス干渉効果【JST・京大機械翻訳】

Conductance interference effects in an electron-beam-resist-free chemical vapor deposition graphene device sandwiched between two h-BN sheets

著者 (12件)： Chuang Chiashain (Department of Electronic Engineering, Chung Yuan Christian University, Taoyuan, 320, Taiwan) ,  Mineharu Masaaki (Department of Materials Science, Chiba University, Chiba, 263-8522, Japan) ,  Matsunaga Masahiro (Department of Materials Science, Chiba University, Chiba, 263-8522, Japan) ,  Matsunaga Masahiro (Venture Business Laboratory, Nagoya University, Nagoya, 464-8601, Japan) ,  Liu Chieh-Wen (Department of Physics, Case Western Reserve University, 2076 Adelber Road, Cleveland, OH, 44106, USA) ,  Liu Chieh-Wen (Graduate Institute of Applied Physics, National Taiwan University, Taipei, 106, Taiwan) ,  Wu Bi-Yi (Graduate Institute of Applied Physics, National Taiwan University, Taipei, 106, Taiwan) ,  Kim Gil-Ho (School of Electronic and Electrical Engineering and Sungkyunkwan Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, South Korea) ,  Watanabe Kenji (Advanced Materials Laboratory, National Institute for Materials Science, 1-1 Namki, Tsukuba, 305-0044, Japan) ,  Taniguchi Takashi (Advanced Materials Laboratory, National Institute for Materials Science, 1-1 Namki, Tsukuba, 305-0044, Japan) ,  Liang Chi-Te (Graduate Institute of Applied Physics, National Taiwan University, Taipei, 106, Taiwan) ,  Aoki Nobuyuki (Department of Materials Science, Chiba University, Chiba, 263-8522, Japan)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 154  ページ： 238-243  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高価で時間のかかる電子ビームリソグラフィーと毒性四フッ化炭素または四フッ化硫黄エッチングを用いない六方晶窒化ホウ素(h-BN)/化学蒸着(CVD)グラフェン/h-BNヘテロ構造デバイスの作製と測定を報告する。予め調製した金属接触/h-BN/SiO_2基板上への炭酸ポリプロピレンによるh-BN/CVDグラフェンの効率的な移動を用いた。この場合,CVD-グラフェンは,素子移動度を改善するための効率的なガスアニーリングプロセスを可能にするh-BN基板から懸濁される。興味あることに,トップh-BNキャッピング層はCVDグラフェンにおけるキャリア干渉効果を高めることができ,低コストのグラフェン系干渉型電子デバイスに対して大きな利点を持つことを見出した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 窒化ホウ素 ,  移動度 ,  *コンダクタンス ,  基板 ,  電子ビームリソグラフィー ,  焼なまし ,  懸濁液 ,  *干渉 ,  *化学蒸着 ,  フッ化硫黄 ,  エッチング ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 電子素子 ,  ヘテロ構造 ,  *六方晶窒化ホウ素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： グラフェン ,  化学蒸着 ,  窒化ホウ素 ,  コヒーレント ,  干渉

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： h-BN ,  電子ビームレジスト ,  化学蒸着 ,  グラフェン ,  コンダクタンス ,  干渉効果