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J-GLOBAL ID:201902247233054832   整理番号:19A2344616

ライナーおよびバリアフリーNiAlメタライゼーション:TDDB信頼性と界面状態からの展望【JST・京大機械翻訳】

Liner- and barrier-free NiAl metallization: A perspective from TDDB reliability and interface status
著者 (5件):
資料名:
巻: 497  ページ: Null  発行年: 2019年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,障壁層のないSiO_2上のNiAlの時間依存絶縁破壊(TDDB)信頼性を報告した。NiAlは,破壊時のCu/TaNと比較して優れたTDDB信頼性を示すことを示した(4200s対240s,200°Cで4MV/cm),および4MV/cm下での破壊活性化エネルギー(1.17eV対0.87eV)。さらにNiAlはNiAl/SiO_2界面で原子的に薄く自己制限のAl酸化物層を形成することが分かり,NiAlの大きな凝集エネルギーと共にこのAl酸化物層は優れた信頼性のための可能な起源であると考えられた。これらの結果は,ライナおよびバリアフリー相互接続材料としてのNiAlの大きな可能性を実証した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜  ,  その他の無触媒反応  ,  無電解めっき  ,  その他の触媒 

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