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J-GLOBAL ID：201902248741855568   整理番号：19A1522545

プラズマ処理中のa-Si:H/c-Siヘテロ接合における界面欠陥のその場検出

In-situ detection of interface defects in a-Si:H/c-Si heterojunction during plasma processing

著者 (3件)： NUNOMURA Shota (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  SAKATA Isao (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MATSUBARA Koji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 12  号： 5  ページ： 051006.1-051006.5  発行年： 2019年05月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化非晶質シリコン(a-Si:H)/結晶シリコン(c-Si)ヘテロ接合における欠陥を,a-Si:Hの成長中のその場光電流測定と連続ポストアニーリングにより検出した。成長の間,欠陥はa-Si:H層だけでなくc-Siにおいても発生した。a-Si:H層の欠陥はポストアニーリングにより完全に回復したが,c-Siの欠陥は部分的に回復し;残留欠陥はc-Si中に形成された。興味深いことに,ポストアニーリングはa-Si:H/c-Siにおける界面欠陥の形成を誘起し,それはa-Si:H/c-Siヘテロ接合太陽電池の性能を劣化させる可能性がある。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *プラズマ処理 ,  *アモルファスシリコン ,  *水素化物 ,  *ケイ素 ,  *ヘテロ接合 ,  *欠陥 ,  その場観察 ,  光電流 ,  焼なまし ,  太陽電池
準シソーラス用語： *a-Si:H ,  *結晶シリコン ,  *界面欠陥 ,  ポストアニーリング ,  ヘテロ接合太陽電池

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (37件)：

• M. Tanaka, M. Taguchi, T. Matsuyama, T. Sawada, S. Tsuda, S. Nakano, H. Hanafusa, and Y. Kuwano, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 3518 (1992).
• W. G. J. H. M. van Sark, L. Korte, and F. Roca, Physics and Technology of Amorphous-Crystalline Heterostructure Silicon Solar Cells (Springer, Berlin, 2012).
• S. D. Wolf, A. Descoeudres, Z. C. Holman, and C. Ballif, Green 2, 7 (2012).
• H. Fujiwara and M. Kondo, J. Appl. Phys. 101, 054516 (2007).
• Y. Hayashi, D. Li, A. Ogura, and Y. Ohshita, IEEE J. Photovolt. 3, 1149 (2013).

タイトルに関連する用語 (4件)： プラズマ処理 ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  界面欠陥