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J-GLOBAL ID：201902250068866390   整理番号：19A1416207

ナノスケールSiベーススピンバルブ素子における逆スピンバルブ効果【JST・京大機械翻訳】

Inverse spin-valve effect in nanoscale Si-based spin-valve devices

著者 (3件)： Hiep Duong Dinh (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro, Tokyo 152-0033, Japan) ,  Tanaka Masaaki (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Hai Pham Nam (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro, Tokyo 152-0033, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 22  ページ： 223904-223904-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタクシーによりSi上に堆積したFe/MgO/Geスピンインジェクタ/検出器を用いて,ナノスケールのシリコン(Si)ベースのスピンバルブ素子におけるスピンバルブ効果を調べた。20nmのSiチャネルをもつ素子に対して,Siチャネル輸送方向に沿って膜面に磁場を印加したとき,低温で3%までの明瞭な磁気抵抗を観測した。20mVの大きなスピン依存出力電圧が15Kで0.9Vのバイアス電圧で観測され,これはこれまで報告された横スピンバルブ素子の中で最も高い値である。さらに,スピンバルブ効果の符号は低温で反転し,MgO/Geトンネル障壁における欠陥状態のスピン遮断効果の可能性を示唆した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： チャネル ,  MBE成長 ,  酸化マグネシウム ,  検出器 ,  磁気抵抗 ,  ゲルマニウム ,  *ケイ素 ,  磁場 ,  低温
準シソーラス用語： 遮断 ,  トンネル障壁 ,  バイアス電圧 ,  出力電圧 ,  *スピンバルブ ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノスケール ,  Si ,  スピン ,  バルブ素子 ,  スピンバルブ