文献

J-GLOBAL ID：201902250100494916   整理番号：19A1700770

Si(111)基板上Ag(111)超薄膜の有効量子井戸幅評価

著者 (5件)： 菅原喜周 (東京工大 理) ,  板倉悠太 (東京工大 理) ,  山崎詩郎 (東京工大 理) ,  中辻寛 (東京工大) ,  平山博之 (東京工大 理)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 74  号： 1  ページ： ROMBUNNO.15aK204-2  発行年： 2019年03月22日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： Si(111)√3×√3-B表面上にAgを蒸着すると、√3×√3基板上に直接3次元島が成長するVolmer-Weber型成長が観察される。これに対しSi(111)7×7表面上では、Ag3次元島はStranski-Krastanov成長モード...【本文一部表示】

シソーラス用語： ケイ素 ,  *銀 ,  *超薄膜 ,  *量子井戸 ,  ナノ構造 ,  島状構造 ,  Stranski-Krastanov成長 ,  薄膜成長 ,  金属薄膜
準シソーラス用語： シリコン ,  ナノアイランド ,  Volmer-Weber成長 ,  濡れ層

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Ag ,  薄膜 ,  量子井戸 ,  評価