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J-GLOBAL ID：201902250502676432   整理番号：19A2826415

[数式:原文を参照]ホイスラー合金における正の線形磁気抵抗の起源の実験的検証【JST・京大機械翻訳】

Experimental verification of the origin of positive linear magnetoresistance in [Formula : see text] Heusler alloys

著者 (16件)： Yamada S. (Center for Spintronics Research Network, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Yamada S. (Department of Systems Innovation, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Kobayashi S. (Department of Systems Innovation, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Masago A. (Center for Spintronics Research Network, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Kumara L. S. R. (Japan Synchrotron Radiation Research Institute, Sayo, Hyogo 679-5198, Japan) ,  Tajiri H. (Japan Synchrotron Radiation Research Institute, Sayo, Hyogo 679-5198, Japan) ,  Fukushima T. (Institute for Datability Science, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871 Japan) ,  Fukushima T. (Center for Spintronics Research Network, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Abo S. (Center for Science and Technology under Extreme Conditions, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Sakuraba Y. (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan) ,  Hono K. (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan) ,  Oguchi T. (Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan) ,  Oguchi T. (Center for Spintronics Research Network, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Oguchi T. (MaDIS, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan) ,  Hamaya K. (Center for Spintronics Research Network, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Hamaya K. (Department of Systems Innovation, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 100  号： 19  ページ： 195137  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [数式:原文を参照]ホイスラー合金における低温での正線形磁気抵抗(PLMR)効果の起源を論じた。異常分散X線回折測定から,分子線エピタクシー(MBE)により成長させたエピタキシャルCoFeVSi膜の結晶構造は[数式:原文を参照]型であることを明らかにした。MBE条件におけるCoFeVSi膜中のVに対するMnの置換を用いて,均一な[数式:原文を参照]膜と磁気モーメントの系統的制御を実験的に実証した。PLMR効果はMn含有量の増加と共に徐々に減少したが,[数式:原文を参照]でも見られた。PLMR効果は[数式:原文を参照]で消失することを示した。[数式:原文を参照]の電子バンド構造の理論計算によると,CoFeVSiの少数スピンにおけるV-d状態によるギャップのような電子バンド構造はMnの置換を増加させることによってバンドギャップに変化した。これは,[数式:原文を参照]中のFermi準位近傍の電子バンド構造が,MnをVに置換することにより実験的に制御できることを意味する。これらの考察から,[数式:原文を参照]におけるPLMR効果はFermi準位近傍の少数スピン電子バンドにおけるV状態誘起ギャップ様構造の存在により引き起こされると結論した。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  MBE成長 ,  磁気モーメント ,  低温 ,  Fermi準位 ,  エピタクシー ,  *ホイスラー合金 ,  異常分散 ,  結晶構造 ,  線形性 ,  X線回折 ,  マンガン ,  *磁気抵抗
準シソーラス用語： 理論計算 ,  電子バンド構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属結晶の電子構造  (BM02050C)

タイトルに関連する用語 (8件)： 数式 ,  参照 ,  ホイスラー合金 ,  線形 ,  磁気抵抗 ,  起源 ,  実験 ,  検証