文献

J-GLOBAL ID：201902252067435140   整理番号：19A1414900

炭化ケイ素における単一複空格子点のStark同調と電荷状態制御【JST・京大機械翻訳】

Stark tuning and electrical charge state control of single divacancies in silicon carbide

著者 (6件)： de las Casas Charles F. (Institute for Molecular Engineering, University of Chicago, Chicago, Illinois 60637, USA) ,  Christle David J. (Institute for Molecular Engineering, University of Chicago, Chicago, Illinois 60637, USA) ,  Ul Hassan Jawad (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, SE-581 83 Linkoping, Sweden) ,  Ohshima Takeshi (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, 1233 Watanuki, Takasaki, Gunma 370-1292, Japan) ,  Son Nguyen T. (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, SE-581 83 Linkoping, Sweden) ,  Awschalom David D. (Institute for Molecular Engineering, University of Chicago, Chicago, Illinois 60637, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 26  ページ： 262403-262403-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素(SiC)における中性荷電二空格子点は,長いコヒーレンス時間と近いテレコム動作波長が,既存の光ファイバネットワークと互換性のあるスケーラブルな量子通信技術に対して有望となる常磁性色中心である。しかし,局所歪不均一性は,それらの光学遷移周波数をランダムに摂動することができ,分離欠陥から放出される光子の識別不能性を劣化させ,それらの光共振器への結合を妨げる。ここでは,DCStark効果を介して,いくつかのGHzの範囲にわたって,4H-SiCにおける単一の中性二空格子欠陥の光学遷移周波数を調整するために,電場を用いることができることを示した。同じ技術はまた,マイクロ秒の時間スケールで欠陥の電荷状態を制御することができる。それは,不安定または非中性の二空格子点をそれらの中性電荷状態に安定化するために使用する。蛍光に基づく電荷状態検出を用いて,975nmと1130nmの励起の両方が,それらの中性電荷状態をほぼ1効率で調製できることを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電場 ,  蛍光 ,  *空格子点 ,  不均一性 ,  波長 ,  常磁性 ,  *炭化ケイ素 ,  *電荷 ,  光子 ,  *同調 ,  互換性
準シソーラス用語： 光学遷移 ,  局所歪 ,  中性 ,  *荷電状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 炭化ケイ素 ,  空格子点 ,  同調 ,  電荷 ,  状態制御